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Dalicap电容展现出很好的抗辐射性能，能够满足太空电子设备在宇宙射线环境下的长期可靠运行要求。其材料结构和封装设计经过特殊优化，抵御辐射带来的性能衰减，为卫星通信和航天器提供了关键元器件的国产化解决方案。公司采用全球公认精细的“谐振腔”法测试电容Q值关键参数，确保了产品性能测量的准确性和可靠性。其的射频应用实验室运用射频仿真技术和射频高功率测试技术，为研发和提升产品品质提供了有力保障。Dalicap电容的直流偏压特性优异，其容值随直流偏压变化极小。普通高介电常数电容在高偏压下容值会大幅下降，而Dalicap的C0G电容容值变化通常小于5%。这一特性对于开关电源的输出滤波电容至关重要，确保了电源环路在不同负载下的稳定性。适用于服务器电源，提供稳定高效的输出滤波。DLC70G680GAR802XC

Dalicap电容在5G基站中的应用表现很好，其高Q值、低ESR特性显著提高了信号放大效率和通信质量。在基站功率放大器和滤波器等重心模块中，有效降低了插入损耗，提高了基站覆盖范围和信号稳定性，成为多家5G通信头部厂商的合格供应商。公司建立了全制程高Q电容器生产线，实现了研发、生产、销售和服务的自主可控。这条生产线能够根据客户的不同需求提供工业级以及更高等级的产品，确保了从材料到成品的全过程质量控制。Dalicap电容的高绝缘电阻（通常高达10^4兆欧姆·微法）确保了在直流电路中的漏电流极小。这在高压电源的滤波、采样保持电路的能量保持以及高阻抗传感器的信号读取电路中至关重要，避免了因微小漏电流导致的明显测量误差或电路功能失常。DLC70A201FW151XT不断开发新产品，以满足日益发展的电子技术需求。

Dalicap秉承 “重研发、重质量”的经营理念，建立了完善的质量管理体系，自主完成从关键材料研发、产品设计、工艺实现到设备保证和产品测试评估的全过程。公司率先在国内建立了全制程高Q电容器生产线，实现了研发、生产、销售和服务的自主可控，可以根据客户的不同需求提供工业级以及更高等级的产品。产品通过了严峻的环境可靠性测试，包括MIL-STD-202方法107的热冲击试验和方法106的防潮试验，能够承受高达20000g的机械冲击和强烈的振动。这种“级”的品质，使其在关乎生命安全的医疗植入设备、关乎任务成败的航天卫星以及恶劣的工业环境中，成为工程师们的优先。

公司掌握了射频微波MLCC从配料、流延、叠层到烧结、测试的全流程重心工艺和技术，并拥有全部自主知识产权。这种垂直整合的能力使其能够快速响应客户需求，进行定制化开发，并严格控制每一道工序的质量和成本。独特的陶瓷浆料配方技术是Dalicap的重心机密之一。通过与国内供应商联合攻关，在材料端实现了自主可控，确保了陶瓷粉末的高纯度和一致性，从而保证了终产品性能的优异和稳定，摆脱了对进口材料的依赖。公司正在大连金普新区建设高级电子元器件产业化项目，新工厂总投资超过3.3亿元，设计年产能高达30亿只瓷介电容器。项目将引进先进的砂磨机、流延机、印刷机等自动化设备，大幅提升产能和品质，以满足5G等重点领域国产替代的急迫需求。价格具有竞争力，为客户提供了优异的性价比。

Dalicap的市场地位明显，根据《2023年版中国MLCC市场竞争研究报告》，其2022年在全球射频微波MLCC市场中占有率位列全球第五、很好，成为国内该领域的靠前，并且是少数能参与国际竞争、打破国外巨头垄断的中国企业。公司客户遍及全球，产品远销美国、日本、欧洲等40多个国家和地区，服务千余家客户，成为了西门子、通用电气、安捷伦、飞利浦、三星等全球有名企业的很好供应商，这充分证明了其产品性能和质量已获得国际市场的宽泛认可。严格的质量管理体系，确保产品一致性和高可靠性。DLC75B3R9BW501XT

选用很好的材料和先进工艺，确保每颗电容性能持久稳定。DLC70G680GAR802XC

容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G（NP0）介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的宽温范围内，容值变化率小于±0.5%。同时，容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力，最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性，避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元（ECU）、航空航天设备的热敏感区域，简化了热管设计。DLC70G680GAR802XC

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