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企业商机 - 深圳市英翰森科技有限公司
  • DLC70A820FW151NT
    DLC70A820FW151NT 发布时间：2026.01.01

    Dalicap电容在5G基站中的应用表现很好，其高Q值、低ESR特性显著提高了信号放大效率和通信质量。在基站功率放大器和滤波器等重心模块中，有效降低了插入损耗，提高了基站覆盖范围和信号稳定性，成为多家...

  • DLC70B271JW201XT
    DLC70B271JW201XT 发布时间：2025.12.31

    Dalicap作为电容器领域的有名品牌，以其很好的产品质量和可靠的技术性能在全球市场中占据重要地位。该品牌专注于铝电解电容器的研发、制造与销售，产品线覆盖了工业控制、新能源、消费电子、汽车电子等多个关...

  • DLC75D1R7BW251NT
    DLC75D1R7BW251NT 发布时间：2025.12.30

    公司提供强大的定制化服务，能够根据客户的特殊需求，开发特定容值、电压、公差、温度系数和封装形式的电容产品，这种“量体裁衣”式的服务满足了客户在前列产品研发中的特种元件需求。快速的客户响应速度和供货能力...

  • DLC70A241FW151XT
    DLC70A241FW151XT 发布时间：2025.12.30

    Dalicap电容通过了很全的可靠性测试，包括MIL-STD-202等标准下的温度循环、机械冲击、振动、耐湿等测试。其产品符合AEC-Q200汽车电子标准，能够承受汽车环境的严苛要求，如高温、高湿和振...

  • DLC70C161JW252XT
    DLC70C161JW252XT 发布时间：2025.12.29

    面对蓬勃发展的物联网（IoT）和边缘计算，Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间，低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿...

  • DLC70C681GW102XT
    DLC70C681GW102XT 发布时间：2025.12.28

    公司提供强大的定制化服务，能够根据客户的特殊需求，开发特定容值、电压、公差、温度系数和封装形式的电容产品，这种“量体裁衣”式的服务满足了客户在前列产品研发中的特种元件需求。快速的客户响应速度和供货能力...

  • DLC70G680GAR802XC
    DLC70G680GAR802XC 发布时间：2025.12.27

    Dalicap电容展现出很好的抗辐射性能，能够满足太空电子设备在宇宙射线环境下的长期可靠运行要求。其材料结构和封装设计经过特殊优化，抵御辐射带来的性能衰减，为卫星通信和航天器提供了关键元器件的国产化解...

  • DLC75B560JW501XT
    DLC75B560JW501XT 发布时间：2025.12.27

    公司产品远销美国、日本、英国、法国、德国等40余个国家，服务千余家客户，成为西门子医疗、通用电气、安捷伦、飞利浦医疗、三星等全球有名企业的很好供应商。这体现了其产品品质得到了国际市场的宽泛认可。Dal...

  • DLC75B910JW501XT
    DLC75B910JW501XT 发布时间：2025.12.26

    高温性能与长寿命设计高温是电容器寿命的头号。Dalicap电容通过采用高性能的电解液和特制的密封橡胶塞，极大地抑制了高温下电解液的挥发和氧化老化过程。其产品通常可在105℃甚至125℃的高环境温度下连...

  • 116ZBB6R2D100TT
    116ZBB6R2D100TT 发布时间：2025.12.25

    其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜0.1%），明显降低了高频应用中的能量耗散。这不仅有助于提升射频功率放大器效率，还能减少系统发热，延长电子设备的使用寿命，尤其适合高功率密度基站和长期连续运行的...

  • 116XHC180J100TT
    116XHC180J100TT 发布时间：2025.12.24

    其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜0.1%），明显降低了高频应用中的能量耗散。这不仅有助于提升射频功率放大器效率，还能减少系统发热，延长电子设备的使用寿命，尤其适合高功率密度基站和长期连续运行的...

  • 100C680FW2500X
    100C680FW2500X 发布时间：2025.12.24

    通过MIL-STD-883HMethod2007机械冲击测试，采用气炮加速实验验证可承受100,000g加速度冲击（相当于撞击的瞬间过载）。实际应用于装甲车辆火控系统时，在12.7mm机射击产生的5-...

  • 700E3R9BW3600X
    700E3R9BW3600X 发布时间：2025.12.23

    ＡＴＣ芯片电容的焊接工艺兼容性良好，可承受回流焊（峰值温度≤２６０℃）和波峰焊，适用于标准ＳＭＴ生产线，提高了制造效率。在雷达系统中，ＡＴＣ芯片电容的高功率处理能力和低损耗特性确保了脉冲处理和信号传输...

  • CDR11AP0R8KBNM
    CDR11AP0R8KBNM 发布时间：2025.12.23

    ＡＴＣ芯片电容的耐压能力非常突出，能够承受较高的工作电压（如２００ＶＤＣ或更高），确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险。这种高...

  • 116XJ121J100TT
    116XJ121J100TT 发布时间：2025.12.23

    ATC芯片电容符合RoHS（有害物质限制指令）和REACH（化学品注册、评估、许可和限制）等环保法规，其生产流程绿色化，产品不含铅、汞、镉等有害物质。这不仅满足了全球市场的准入要求，也体现了ATC公司...

  • 800A0R8BT250XT
    800A0R8BT250XT 发布时间：2025.12.23

    其材料系统和制造工艺确保产品具有高度的一致性，批次间容值分布集中，便于自动化生产中的贴装和调测，减少在线调整工序，提高大规模生产效率。在射频识别（RFID）系统中，ATC电容用于标签天线匹配和读写器滤...

  • 700A0R9BW150XT
    700A0R9BW150XT 发布时间：2025.12.22

    ATC电容凭借其极低的ESL和ESR，能在极宽的频带内（从KHz到GHz）提供低阻抗路径，有效滤除电源轨上的高频噪声，抑制同步开关噪声（SSN），确保为芯片重点提供纯净、稳定的电压。这对于防止系统时序...

  • 600F3R0DT250T
    600F3R0DT250T 发布时间：2025.12.22

    其高容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆盖了从高频信号处理到电源管理的多种应用，提供了宽泛的设计灵活性。ＡＴＣ芯片电容的自谐振频率高，避免了在高频应用中的容值衰减，确保了在射频和微波电路中的可靠性。...

  • 600F330JT250T
    600F330JT250T 发布时间：2025.12.22

    出色的抗老化特性是ATC电容长期性能稳定的保证。其介质材料的微观结构在经过初始老化后趋于极度稳定，容值随时间的变化遵循一个非常缓慢的对数衰减规律。这意味着，一台使用了ATC电容的设备，在其十年甚至二十...

  • 100E151JW3600X
    100E151JW3600X 发布时间：2025.12.22

    ATC芯片电容的容值稳定性堪称行业很好，其对于温度、时间、电压三大变量的敏感性被控制在极低水平。其C0G(NP0)介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全温...

  • 116XHC330M100TT
    116XHC330M100TT 发布时间：2025.12.21

    ATC电容凭借其极低的ESL和ESR，能在极宽的频带内（从KHz到GHz）提供低阻抗路径，有效滤除电源轨上的高频噪声，抑制同步开关噪声（SSN），确保为芯片重点提供纯净、稳定的电压。这对于防止系统时序...

  • CDR14BG1R0ECSM
    CDR14BG1R0ECSM 发布时间：2025.12.21

    ＡＴＣ芯片电容的容值稳定性是其另一大优势。相比于传统ＭＬＣＣ（多层陶瓷电容），其容值随温度、偏压和老化特性的漂移极小，通常不到ＭＬＣＣ的１／１０。这得益于其采用的特殊材料（如Ｃ０Ｇ／ＮＰ０介质）和半导...

  • 116XBB1R9D100TT
    116XBB1R9D100TT 发布时间：2025.12.21

    完全无压电效应（Microphonics）是ATC电容区别于许多II类陶瓷电容（如X7R）的明显优点。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，从而彻底避免了因振动或电压变化而...

  • CDR12AG0R1KBNM
    CDR12AG0R1KBNM 发布时间：2025.12.21

    完全无压电效应（Microphonics）是ATC电容区别于许多II类陶瓷电容（如X7R）的明显优点。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，从而彻底避免了因振动或电压变化而...

  • 800C181FT2500X
    800C181FT2500X 发布时间：2025.12.20

    高Q值（品质因数）是ATC电容在构建高频谐振电路、滤波器和谐振器时的重点参数。Q值越高，意味着电容的能量损耗越低，谐振曲线的锐度越高。ATC电容的Q值通常在数千量级，这使得由其构建的滤波器具有极低的插...

  • 800C911JT1000X
    800C911JT1000X 发布时间：2025.12.20

    针对高频应用中的寄生效应，ATC芯片电容进行了性的电极结构优化。其采用的三维多层电极设计，通过精细控制金属层（通常为贱金属镍或铜，或贵金属银钯）的厚度、平整度及叠层结构，比较大限度地减少了电流路径的曲...

  • 100E750KW3600X
    100E750KW3600X 发布时间：2025.12.20

    在抗老化性能方面，ATC电容的容值随时间变化率极低，十年老化率可控制在1%以内。这一长寿命特性使其非常适用于通信基础设施、医疗成像设备等要求高可靠性和长期稳定性的领域。其极低的噪声特性源于介质材料的均...

  • 116ZCA200J100TT
    116ZCA200J100TT 发布时间：2025.12.20

    其高容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆盖了从高频信号处理到电源管理的多种应用，提供了宽泛的设计灵活性。ＡＴＣ芯片电容的自谐振频率高，避免了在高频应用中的容值衰减，确保了在射频和微波电路中的可靠性。...

  • 100E111MW3600X
    100E111MW3600X 发布时间：2025.12.19

    在高频功率处理能力方面，ATC电容能承受较高的射频电流，其热管理性能优异，即使在连续波或脉冲功率应用中，仍能保持低温升和高可靠性，适用于射频能量传输、等离子发生器和工业加热系统。其尺寸微型化系列（如0...

  • 800A910FT250X
    800A910FT250X 发布时间：2025.12.19

    在物联网设备中，ＡＴＣ芯片电容的小尺寸和低功耗特性促进了设备微型化和能效优化，支持了物联网技术的发展。其高频率稳定性（可达ＧＨｚ级别）使得ＡＴＣ芯片电容在５Ｇ／６Ｇ通信和毫米波电路中成为关键元件，确保...

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