100E系列支持500V额定电压，通过100%高压老化测试，可在250%耐压下持续工作5秒不击穿。医疗设备如MRI系统的梯度放大器需承受瞬间高压脉冲，ATC电容的绝缘电阻＞10^12Ω，杜绝漏电风险，符合AEC-Q200车规认证。在5GMassiveMIMO天线阵列中，ATC600S系列（0603封装）凭借0.1pF至100pF容值范围，实现带外噪声抑制＞60dB。其低插损（＜0.1dB@2.6GHz）特性可减少基站功耗，配合环形器设计，将邻频干扰降低至-80dBm以下，满足3GPPTS38.104标准。在电源去耦应用中提供极低阻抗路径，有效抑制高频噪声。116ZF621M100TTATC芯片...

在脉冲应用场景中，ATC电容具有极快的充放电速度和低等效串联电阻，可有效抑制电压尖峰和电流浪涌，为激光驱动器、雷达调制器和电磁发射装置提供稳定的能量存储和释放功能。其介质材料具有极低的电介质吸收率（通常低于0.1%），在采样保持电路、积分器和精密模拟计算电路中可明显减小误差，提高系统精度，适用于高级测试仪器和医疗成像设备。通过优化内部结构和电极布局，ATC电容在高频段的Q值（品质因数）极高，特别适用于低相位噪声振荡器、高频滤波器和谐振电路，有助于提升通信系统的频率稳定性和信号纯度。综合性能好，成为很好的电子系统设计的选择元件。600S9R1BT250XT其材料系统和制造工艺确保产品具有高度的一...

其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜0.1%），明显降低了高频应用中的能量耗散。这不仅有助于提升射频功率放大器效率，还能减少系统发热，延长电子设备的使用寿命，尤其适合高功率密度基站和长期连续运行的通信基础设施。ATC电容采用独特的陶瓷-金属复合电极结构和多层共烧工艺，使其具备优异的机械强度和抗弯曲性能。在振动强烈或机械应力频繁的环境中（如轨道交通控制系统、重型机械电子设备），仍能保持结构完整性和电气连接的可靠性。总拥有成本优势明显，长寿命降低系统维护费用。116ZBB6R2D100TT虽然单颗ATC100B系列电容价格是普通电容的8-10倍（2023年市场报价$18.5/颗），但在5G基站...

通过MIL-STD-883HMethod2007机械冲击测试，采用气炮加速实验验证可承受100,000g加速度冲击（相当于撞击的瞬间过载）。实际应用于装甲车辆火控系统时，在12.7mm机射击产生的5-2000Hz宽频振动环境下，其电极焊接点仍保持零断裂记录。这种特性源自特殊的银-钯合金电极（Ag-Pd70/30配比）与三维立体堆叠结构，其断裂韧性值(KIC)达到8MPa·m¹/²，是普通陶瓷电容的3倍。洛克希德·马丁公司的战地报告显示，配备ATC电容的"标"反坦克导弹制导系统，在沙漠风暴行动中的战场故障率为0.2/百万发。总拥有成本优势明显，长寿命降低系统维护费用。116ZCA150J100T...

通过MIL-STD-883HMethod2007机械冲击测试，采用气炮加速实验验证可承受100,000g加速度冲击（相当于撞击的瞬间过载）。实际应用于装甲车辆火控系统时，在12.7mm机射击产生的5-2000Hz宽频振动环境下，其电极焊接点仍保持零断裂记录。这种特性源自特殊的银-钯合金电极（Ag-Pd70/30配比）与三维立体堆叠结构，其断裂韧性值(KIC)达到8MPa·m¹/²，是普通陶瓷电容的3倍。洛克希德·马丁公司的战地报告显示，配备ATC电容的"标"反坦克导弹制导系统，在沙漠风暴行动中的战场故障率为0.2/百万发。脉冲放电特性很好，适合雷达系统能量存储应用。100C680FW2500X...

ＡＴＣ芯片电容的多层陶瓷结构设计使其具备高电容密度，在小型封装中实现了较大的容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）。这种高密度设计满足了现代电子产品对元件小型化和高性能的双重需求，特别是在空间受限的应用中。其优异的频率响应特性使得ＡＴＣ芯片电容在高频电路中能够保持稳定容值，避免了因频率变化导致的性能衰减。这一特性在射频匹配网络和天线调谐电路中尤为重要，确保了信号传输的效率和准确性。ＡＴＣ芯片电容的封装形式多样，包括贴片式、插入式、轴向和径向等，满足了不同电路设计和安装需求。例如，其微带封装和轴向引线封装适用于高频模块和定制化电路设计，提供了灵活的选择。宽温工作能力（-55℃至+250℃）使其适用...

虽然单颗ATC100B系列电容价格是普通电容的8-10倍（2023年市场报价$18.5/颗），但在5G基站功率放大器模块中，其平均无故障时间(MTBF)达25万小时，超过设备厂商10年设计寿命要求。华为的实测数据显示，采用ATC电容的AAU模块10年运维成本降低37%，主要得益于故障率从3‰降至0.05‰。爱立信的TCO分析报告指出，考虑到减少基站断电导致的营收损失（约$1500/小时/站），采用高可靠性电容的ROI周期可缩短至14个月。在风电变流器等工业场景中，因减少停机检修带来的年化收益更高达$12万/台。脉冲放电特性很好，适合雷达系统能量存储应用。700B7R5BW500XT每一颗电容都...

其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜0.1%），明显降低了高频应用中的能量耗散。这不仅有助于提升射频功率放大器效率，还能减少系统发热，延长电子设备的使用寿命，尤其适合高功率密度基站和长期连续运行的通信基础设施。ATC电容采用独特的陶瓷-金属复合电极结构和多层共烧工艺，使其具备优异的机械强度和抗弯曲性能。在振动强烈或机械应力频繁的环境中（如轨道交通控制系统、重型机械电子设备），仍能保持结构完整性和电气连接的可靠性。总拥有成本优势明显，长寿命降低系统维护费用。116XHC180J100TT在汽车电子领域，ＡＴＣ芯片符合ＡＥＣ－Ｑ２００Ｒｅｖ－Ｄ标准，能够承受汽车环境的严苛要求，如高温、高湿和振...

ＡＴＣ芯片电容的焊接工艺兼容性良好，可承受回流焊（峰值温度≤２６０℃）和波峰焊，适用于标准ＳＭＴ生产线，提高了制造效率。在雷达系统中，ＡＴＣ芯片电容的高功率处理能力和低损耗特性确保了脉冲处理和信号传输的可靠性，提高了系统性能。其高绝缘电阻（如１０００兆欧分钟）降低了泄漏电流，确保了在高压和高阻电路中的安全性，避免了因泄漏导致的电路误差或失效。ＡＴＣ芯片电容的定制化能力强大，可根据客户需求提供特殊容值、公差和封装，满足了特定应用的高要求。自谐振频率可达数十GHz，适合5G/6G高频电路设计。700E3R9BW3600X在物联网设备中，ＡＴＣ芯片电容的小尺寸和低功耗特性促进了设备微型化和能效优化，...

ＡＴＣ芯片电容的耐压能力非常突出，能够承受较高的工作电压（如２００ＶＤＣ或更高），确保电路的安全运行。其介质材料和结构设计经过优化，提供了高击穿电压和低泄漏电流，避免了在高电压应用中的失效风险。这种高耐压特性使得它在电源管理、工业控制和汽车电子等领域中成为理想选择，尤其是在需要高可靠性和安全性的场景中。温度稳定性是ＡＴＣ芯片电容的关键优势之一。其采用的材料和工艺确保了在宽温范围内（如－５５℃至＋１２５℃）容值变化极小，例如Ｃ０Ｇ／ＮＰ０介质的电容温度系数可低至±３０ｐｐｍ／℃。这种特性使得它在极端环境（如汽车发动机舱或航空航天设备）中仍能保持稳定性能，避免了因温度波动导致的电路故障ATC芯片电...

ATC芯片电容符合RoHS（有害物质限制指令）和REACH（化学品注册、评估、许可和限制）等环保法规，其生产流程绿色化，产品不含铅、汞、镉等有害物质。这不仅满足了全球市场的准入要求，也体现了ATC公司对社会可持续发展和环境保护的责任担当，使得客户的产品能够无忧进入任何国际市场。在微波电路中作为直流阻隔和射频耦合元件，ATC电容展现了其“隔直通交”的理想特性。其在高频下极低的容抗使得射频信号能够几乎无损耗地通过，而其近乎无穷大的直流阻抗又能完美地隔离两级电路间的直流偏置，防止相互干扰。这种功能在微波单片集成电路（MMIC）的偏置网络中不可或缺，保证了放大器和混频器等有源器件的正常工作。提供定制化...

其材料系统和制造工艺确保产品具有高度的一致性，批次间容值分布集中，便于自动化生产中的贴装和调测，减少在线调整工序，提高大规模生产效率。在射频识别（RFID）系统中，ATC电容用于标签天线匹配和读写器滤波电路，其高Q值和稳定的温度特性可提高读取距离和抗环境干扰能力。该类电容的无磁性系列采用非铁磁性电极材料，适用于MRI系统、高精度传感器和量子计算设备中对磁场敏感的应用场景，避免引入额外磁噪声或场失真。通过引入三维电极结构和高k介质材料，ATC可在微小尺寸内实现μF级容值，为芯片级电源模块和便携设备中的大电流瞬态响应提供解决方案。提供定制化服务，可根据特殊需求开发型号。800A0R8BT250XT...

ATC电容凭借其极低的ESL和ESR，能在极宽的频带内（从KHz到GHz）提供低阻抗路径，有效滤除电源轨上的高频噪声，抑制同步开关噪声（SSN），确保为芯片重点提供纯净、稳定的电压。这对于防止系统时序错误、数据损坏和性能下降至关重要。ATC芯片电容实现了高电容密度与高性能的完美平衡。通过采用高介电常数介质材料和增加叠层数量，其在单位体积内存储的电荷量（电容值）很好提升。然而，与普通高介电常数材料往往温度稳定性不同，ATC通过复杂的材料改性技术，在获得高电容密度的同时，依然保持了良好的温度特性和频率特性。这使得设计者无需在“大小”和“性能”之间艰难取舍，为空间受限的高性能应用提供了理想解决方案。...

ATC芯片电容的容值稳定性堪称行业很好，其对于温度、时间、电压三大变量的敏感性被控制在极低水平。其C0G(NP0)介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的全温范围内，容值变化率通常小于±0.5%。同时，其容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性。此外，其介质材料的直流偏压特性优异，在高偏压下的容值下降幅度远小于常规X7R/X5R类电容，这对于工作在高压条件下的去耦和滤波电路至关重要。完全无压电效应，杜绝啸叫现象，适合高保真音频应用。100E151JW3600XATC电容凭借其极低的ESL和ESR，能在极宽的频带内（从K...

其高容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆盖了从高频信号处理到电源管理的多种应用，提供了宽泛的设计灵活性。ＡＴＣ芯片电容的自谐振频率高，避免了在高频应用中的容值衰减，确保了在射频和微波电路中的可靠性。在航空航天领域，ＡＴＣ芯片电容能够承受极端温度、辐射和振动，确保了关键系统的可靠运行，满足了和航天标准的要求。其优化电极设计降低了寄生参数，提高了高频性能，使得ＡＴＣ芯片电容在高速数字电路和高频模拟电路中表现很好。创新采用三维叉指电极设计，在相同体积下实现比传统结构高40%的电容密度。600F3R0DT250TATC芯片电容在材料科学上取得了重大突破，其采用的超精细、高纯度钛酸盐陶瓷介质体系是很好...

出色的抗老化特性是ATC电容长期性能稳定的保证。其介质材料的微观结构在经过初始老化后趋于极度稳定，容值随时间的变化遵循一个非常缓慢的对数衰减规律。这意味着，一台使用了ATC电容的设备，在其十年甚至二十年的使用寿命内，其关键电路的参数漂移将被控制在极小的范围内。这种长期稳定性对于电信基础设施、工业控制仪表和测试测量设备等长生命周期产品而言，价值巨大。极低的电介质吸收（DielectricAbsorption,DA）是ATC电容在精密模拟电路中的一项隐性优势。DA效应犹如电容的“记忆效应”，会在快速充放电后产生残余电压，导致采样保持电路（SHA）、积分器或精密ADC/DAC的测量误差。ATC电容的...

ATC电容凭借其极低的ESL和ESR，能在极宽的频带内（从KHz到GHz）提供低阻抗路径，有效滤除电源轨上的高频噪声，抑制同步开关噪声（SSN），确保为芯片重点提供纯净、稳定的电压。这对于防止系统时序错误、数据损坏和性能下降至关重要。ATC芯片电容实现了高电容密度与高性能的完美平衡。通过采用高介电常数介质材料和增加叠层数量，其在单位体积内存储的电荷量（电容值）很好提升。然而，与普通高介电常数材料往往温度稳定性不同，ATC通过复杂的材料改性技术，在获得高电容密度的同时，依然保持了良好的温度特性和频率特性。这使得设计者无需在“大小”和“性能”之间艰难取舍，为空间受限的高性能应用提供了理想解决方案。...

完全无压电效应（Microphonics）是ATC电容区别于许多II类陶瓷电容（如X7R）的明显优点。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，从而彻底避免了因振动或电压变化而产生的可听噪声（啸叫）和微观机械噪声。在高保真音频设备、敏感传感器前置放大器和振动环境中工作的电子设备里，ATC电容确保了信号的纯净度，消除了由电容自身引入的干扰。在光通信模块（如400G/800G光收发器）中，ATC芯片电容是保障高速信号完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能够在数十Gbps的高速SerDes和DSP电源引脚处，提供极其高效的宽带去耦，抑制电源噪声对高速信号的干扰。同时，其在...

ＡＴＣ芯片电容的容值稳定性是其另一大优势。相比于传统ＭＬＣＣ（多层陶瓷电容），其容值随温度、偏压和老化特性的漂移极小，通常不到ＭＬＣＣ的１／１０。这得益于其采用的特殊材料（如Ｃ０Ｇ／ＮＰ０介质）和半导体级工艺，使得电容在不同温度和频率下容值变化微小，提供了极高的可靠性。这种稳定性在精密电路（如医疗设备和通信基础设施）中至关重要，确保了长期使用中的性能一致性。尺寸小巧是ＡＴＣ芯片电容的明显特点之一。其封装形式多样，包括０４０２（１．６ｍｍ×１．６ｍｍ）等超小尺寸，适用于高密度集成电路和微型电子设备。这种小型化设计不仅节省了电路板空间，还提高了系统的集成度和性能，特别适合现代电子产品轻薄化的趋势。...

完全无压电效应（Microphonics）是ATC电容区别于许多II类陶瓷电容（如X7R）的明显优点。其采用的C0G等I类介质是顺电性的，不会在交流电压作用下发生形变，从而彻底避免了因振动或电压变化而产生的可听噪声（啸叫）和微观机械噪声。在高保真音频设备、敏感传感器前置放大器和振动环境中工作的电子设备里，ATC电容确保了信号的纯净度，消除了由电容自身引入的干扰。在光通信模块（如400G/800G光收发器）中，ATC芯片电容是保障高速信号完整性的幕后英雄。其很低的ESL和ESR能够在数十Gbps的高速SerDes和DSP电源引脚处，提供极其高效的宽带去耦，抑制电源噪声对高速信号的干扰。同时，其在...

高Q值（品质因数）是ATC电容在构建高频谐振电路、滤波器和谐振器时的重点参数。Q值越高，意味着电容的能量损耗越低，谐振曲线的锐度越高。ATC电容的Q值通常在数千量级，这使得由其构建的滤波器具有极低的插入损耗和极高的带外抑制能力，振荡器则具有更低的相位噪声和更高的频率稳定性。在频率源和选频网络中，高Q值ATC电容是提升系统整体性能的关键。ATC的制造工艺融合了材料科学与半导体技术，例如采用深反应离子刻蚀（DRIE）来形成高深宽比的介质槽，采用原子层沉积（ALD）来构建超薄且均匀的电极界面。这些前列工艺实现了电容内部三维结构的精确控制，极大地增加了有效电极面积，从而在不增大体积的前提下提升了电容值...

其高容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）覆盖了从高频信号处理到电源管理的多种应用，提供了宽泛的设计灵活性。ＡＴＣ芯片电容的自谐振频率高，避免了在高频应用中的容值衰减，确保了在射频和微波电路中的可靠性。在航空航天领域，ＡＴＣ芯片电容能够承受极端温度、辐射和振动，确保了关键系统的可靠运行，满足了和航天标准的要求。其优化电极设计降低了寄生参数，提高了高频性能，使得ＡＴＣ芯片电容在高速数字电路和高频模拟电路中表现很好。总拥有成本优势明显，长寿命降低系统维护费用。116ZCA200J100TT高Q值（品质因数）是ATC电容在构建高频谐振电路、滤波器和谐振器时的重点参数。Q值越高，意味着电容的能量损耗越低...

针对高频应用中的寄生效应，ATC芯片电容进行了性的电极结构优化。其采用的三维多层电极设计，通过精细控制金属层（通常为贱金属镍或铜，或贵金属银钯）的厚度、平整度及叠层结构，比较大限度地减少了电流路径的曲折度。这种设计将等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）降至很好，从而获得了极高的自谐振频率（SRF）。在GHz频段的射频电路中，这种低ESL/ESR特性意味着信号路径上的阻抗几乎为纯容性，极大地降低了插入损耗和能量反射，保证了信号传输的完整性与效率。内部采用铜银复合电极结构，在高温高湿环境下仍保持优异的导电性和抗迁移能力。800C911JT1000X其介质材料具有极低的损耗角正切值（DF＜...

在抗老化性能方面，ATC电容的容值随时间变化率极低，十年老化率可控制在1%以内。这一长寿命特性使其非常适用于通信基础设施、医疗成像设备等要求高可靠性和长期稳定性的领域。其极低的噪声特性源于介质材料的均匀结构和优化的电极界面设计，在低噪声放大器、高精度ADC/DAC参考电路及传感器信号调理电路中表现出色，有助于提高系统的信噪比和测量精度。具备优异的抗硫化性能，采用特殊端电极材料和保护涂层，可有效抵御含硫环境对电容的侵蚀。这一特性使ATC电容特别适用于化工控制设备、油气勘探仪器及某些特殊工业环境中的电子系统。采用先进薄膜沉积技术，实现纳米级介质层厚度控制。100E750KW3600X在测试与测量设...

在高频功率处理能力方面，ATC电容能承受较高的射频电流，其热管理性能优异，即使在连续波或脉冲功率应用中，仍能保持低温升和高可靠性，适用于射频能量传输、等离子发生器和工业加热系统。其尺寸微型化系列（如0201、0402封装）在保持高性能的同时极大节省了PCB空间，为可穿戴设备、微型传感器节点及高密度系统级封装（SiP）提供了理想的集成解决方案。产品符合AEC-Q200车规标准，可承受1000小时以上高温高湿偏压测试及1000次温度循环试验，完全满足汽车电子对元器件的严苛可靠性要求，广泛应用于ADAS、车载信息娱乐和电池管理系统。通过MIL-STD-883加速度测试，在20000g冲击条件下仍保持...

针对高频应用中的寄生效应，ATC芯片电容进行了性的电极结构优化。其采用的三维多层电极设计，通过精细控制金属层（通常为贱金属镍或铜，或贵金属银钯）的厚度、平整度及叠层结构，比较大限度地减少了电流路径的曲折度。这种设计将等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）降至很好，从而获得了极高的自谐振频率（SRF）。在GHz频段的射频电路中，这种低ESL/ESR特性意味着信号路径上的阻抗几乎为纯容性，极大地降低了插入损耗和能量反射，保证了信号传输的完整性与效率。通过MIL-STD-883加速度测试，在20000g冲击条件下仍保持电气性能的完整稳定。600F5R6DT250T在抗老化性能方面，ATC电容...

ATC芯片电容采用高纯度陶瓷介质与精密电极设计，在1MHz至10GHz频段内保持稳定的容值，Q值高达10000以上。例如，100B系列在5GHz时ESR低至0.01Ω，有效减少信号衰减，适用于5G基站中的功率放大器匹配电路。其自谐振频率（SRF）可达数十GHz，远超普通MLCC电容，确保高频信号完整性，基于NPO/C0G介质材料，ATC电容在-55℃至+175℃范围内容值漂移小于±0.3%，温度系数（TCC）±30ppm/℃。在航天设备中，如卫星通信载荷的振荡器电路，即便遭遇极端温差，仍能维持相位噪声低于-150dBc/Hz，保障信号传输稳定性。在电源去耦应用中提供极低阻抗路径，有效抑制高频噪...

在物联网设备中，ＡＴＣ芯片电容的小尺寸和低功耗特性促进了设备微型化和能效优化，支持了物联网技术的发展。其高频率稳定性（可达ＧＨｚ级别）使得ＡＴＣ芯片电容在５Ｇ／６Ｇ通信和毫米波电路中成为关键元件，确保了高频信号的完整性。ＡＴＣ芯片电容的低成本效益（通过高可靠性和长寿命降低总拥有成本）使其在工业大批量应用中具有经济性，受到了宽泛欢迎。在高性能计算（ＨＰＣ）中，ＡＴＣ芯片电容的电源去耦特性确保了ＣＰＵ／ＧＰＵ的稳定供电，提高了计算效率和可靠性。优异的可焊性和耐焊接热性能，适应无铅回流焊工艺。800A910FT250X地球同步轨道卫星的T/R组件需在真空与辐射环境下工作，ATC700A电容通过MIL...

ＡＴＣ芯片电容的多层陶瓷结构设计使其具备高电容密度，在小型封装中实现了较大的容值范围（如０．１ｐＦ至１００μＦ）。这种高密度设计满足了现代电子产品对元件小型化和高性能的双重需求，特别是在空间受限的应用中。其优异的频率响应特性使得ＡＴＣ芯片电容在高频电路中能够保持稳定容值，避免了因频率变化导致的性能衰减。这一特性在射频匹配网络和天线调谐电路中尤为重要，确保了信号传输的效率和准确性。ＡＴＣ芯片电容的封装形式多样，包括贴片式、插入式、轴向和径向等，满足了不同电路设计和安装需求。例如，其微带封装和轴向引线封装适用于高频模块和定制化电路设计，提供了灵活的选择。ATC芯片电容采用高纯度钛酸盐陶瓷介质，具备...

ＡＴＣ芯片电容在高频应用中的低损耗特性使其成为射频和微波电路的理想选择。其损耗因数（ＤＦ）低于２．５％，在高频范围内仍能保持低能耗和高效率，明显降低了电路的发热和能量损失。这一特性在５Ｇ基站、雷达系统和高速通信设备中尤为重要，确保了信号传输的纯净性和整体系统的能效。通过半导体级工艺制造，ＡＴＣ芯片电容实现了极高的精度和一致性。其容值公差可控制在±１０％甚至更窄的范围，满足了精密电路对元件参数的高要求。这种精度在匹配网络、滤波器和振荡器等应用中至关重要，确保了电路的预期性能和可靠性。提供多种封装形式，包括表面贴装、插件式和特殊高频封装。CDR13BG121DGSMATC芯片电容符合RoHS（有害...