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本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后，htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小，实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后，htol可靠性验证通过，而且测试可靠，使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述，本发明所提供的一种闪存htol测试方法，对闪存参考单元进行编译和擦除循环后，再进行闪存htol可靠性验证，编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子，引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失，进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿，降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变动在内。上海顶策科技有限公司自成立以来，已经为超过500家半导体公司提供高质、高效、低成本测试解决方案。普陀区HTOL测试机排行榜
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导致偏移量发生的原因是在htol可靠性验证过程中闪存参考单元会有空穴丢失，而丢失的空穴是在制作闪存的生产工艺过程中捕获(引入)的，短期内无法消除。而闪存产品从工程样品(es，engineeringsample)到客户样品(cs，customersample)的时间不容延期。从测试端找出解决方案非常迫在眉睫。本发明实施例的闪存htol测试方法对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中存在丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。金山区HTOL测试机供应
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