进一步的，对所述闪存参考单元进行编译，包括：在所述源极上施加***编程电压，在所述漏极上施加第二编程电压，在所述控制栅上施加第三编程电压，在所述衬底上施加第四编程电压；其中，所述***编程电压小于所述第二编程电压；所述第二编程电压小于所述第三编程电压。进一步的，所述***编程电压的范围为～0v,所述第二编程电压的范围为～，所述第三编程电压的范围为8v～10v,所述第四编程电压的范围为～-1v。进一步的，编译过程中的脉冲宽度为100μs～150μs。进一步的，对所述闪存参考单元进行擦除，包括：将所述源极和漏极均悬空，在所述控制栅上施加***擦除电压，在所述衬底上施加第二擦除电压；其中，所述***擦除电压为负电压，所述第二擦除电压为正电压。进一步的，所述***擦除电压的范围为-10v～-8v，所述第二擦除电压的范围为8v～10v。进一步的，擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。进一步的，对所述闪存参考单元进行编译和擦除，循环次数为10次～20次。进一步的，对所述闪存进行htol测试包括：对所述闪存依次进行***时间点读点、第二时间点读点、第三时间点读点至第n时间点读点。
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包括：将所述源极101和漏极102均悬空，在所述控制栅106上施加***擦除电压vc1，在所述衬底100上施加第二擦除电压vc2；其中，所述***擦除电压vc1为负电压，所述第二擦除电压vc2为正电压。所述***擦除电压vc1的范围为-10v～-8v，本实施例中例如为-9v；所述第二擦除电压vc2的范围为8v～10v，本实施例中例如为9v；擦除过程中的脉冲宽度为10ms～20ms。本实施例中，闪存参考单元的擦除原理是基于fowler-nordheim隧穿(简称为fn隧穿)，通过在衬底100上施加正电压，在控制栅106上施加负电压，以在隧穿氧化层103中注入空穴，同时减少浮栅104中的电子。
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我开始的时候认为htons和htonl可以只用htonl代替但是后来发现这个是错误，会导致服务器端和客户端连接不上。下面就让我们看看他们：htons#include<arpa/(uint16_thostshort);htons的功能：将一个无符号短整型数值转换为网络字节序，即大端模式(big-endian)参数u_shorthostshort:16位无符号整数返回值:TCP/IP网络字节顺序.htons是把你机器上的整数转换成“网络字节序”，网络字节序是big-endian，也就是整数的高位字节存放在内存的低地址处。而我们常用的x86CPU(intel,AMD)电脑是little-endian,也就是整数的低位字节放在内存的低字节处。举个例子：假定你的port是0x1234,在网络字节序里这个port放到内存中就应该显示成addraddr+10x120x34而在x86电脑上，0x1234放到内存中实际是：addraddr+10x340x12htons的用处就是把实际内存中的整数存放方式调整成“网络字节序”的方式。————————————————版权声明：本文为CSDN博主「gocpplua」的原创文章，遵循，转载请附上原文出处链接及本声明。 上海顶策科技智能HTOL系统，自主研发在线实时单颗监测技术。智能化HTOL测试机推荐厂家
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