本发明实施例的闪存参考单元未经过编译和擦除的电荷分布示意图；发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除后的电荷分布示意图。图8为本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。其中，具体标号如下：100-衬底；101-源极；102-漏极；103-隧穿氧化层；104-浮栅；105-栅间介质层；106-控制栅；107-侧墙；具体实施方式本发明提供一种闪存htol测试方法，以下结合附图和具体实施例作进一步详细说明。根据下面说明，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精细的比例，*用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。图1为本发明实施例的闪存htol测试方法流程图，上海顶策科技智能HTOL系统，实时监测并记录环境温度，确保芯片处于正常HTOL状态，保证HTOL测试质量。专注HTOL测试机私人定做
本发明实施例的闪存参考单元经过编译和擦除循环后再进行htol测试的输出电流iref分布图。闪存参考单元进行编译和擦除循环后，htol测试过程中。闪存参考单元的输出电流iref在48小时的测试值iref1与在初始的测试值iref0之间偏移量减小，实际验证多个型号的闪存产品采用本实施例的方法后，htol可靠性验证通过，而且测试可靠，使闪存产品较短时间内进入客户样品量产阶段。综上所述，本发明所提供的一种闪存htol测试方法，对闪存参考单元进行编译和擦除循环后，再进行闪存htol可靠性验证，编译和擦除循环会在闪存参考单元中引入电子，引入的电子在闪存htol可靠性验证过程存在丢失，进而对空穴在htol测试过程中的丢失形成补偿，降低了闪存参考单元的输出电流iref的偏移量，从而使闪存htol读“0”通过，解决了闪存htol测试中读点失效的问题，提高闪存质量。显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些改动和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变动在内。杨浦区HTOL测试机现货TH801智能老化系统，全程数据实时记录，让HTOL问题更容易分析，更有追溯性。
技术实现要素：本发明提供了一种闪存htol测试方法，以解决闪存htol测试中读点失效的问题。本发明提供的闪存htol测试方法，包括：提供待测闪存，所述闪存包括闪存参考单元和闪存阵列单元；所述闪存参考单元中捕获有空穴；对所述闪存参考单元循环进行编译和擦除，以在所述闪存参考单元中引入电子；对所述闪存进行htol测试，所述引入电子在所述htol测试过程中部分丢失，以对htol测试过程中所述空穴的丢失形成补偿。进一步的，所述闪存参考单元包括衬底、位于所述衬底中的导电沟道、位于所述导电沟道两侧的源极和漏极，位于所述导电沟道上方的栅极单元，所述栅极单元从下到上依次包括隧穿氧化层、浮栅、栅间介质层以及控制栅，所述栅极单元的两侧分布有侧墙。
那么IC在使用期的寿命测试中的HTOL是什么呢？使用期的寿命测试又包含高温工作寿命（HTOL）和低温工作寿命（LTOL），对于亚微米级尺寸的器件，热载流子效应对于器件寿命有着***的影响，低温工作时相对比较苛刻，所以像存储器、处理器等纳米级别工艺的产品通常需要进行低温工作寿命测试。而对于。进行HTOL（HighTemperatureOperationLife）测试的目的就是为了确定长时间的电气偏差和温度对器件的影响，评估器件在超热和超电压情况下一段时间的耐久力，也就是在正常工作的寿命期间潜在的固有故障被加速，这样就可以在相对比较短的时间内模拟出产品的正常使用寿命。HTOL是在产品放行和批量生产前进行评估，对应浴缸曲线曲线的UsefulLife期，通常是抽样进行的。此外，HTOL还可以用于可靠性监控以及对存在潜在缺陷的产品进行风险评估。 上海顶策科技有限公司，20年以上的丰富测试技术积累及运营经验，拥有多项发明专利及软件著作权。
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