磁控溅射靶材镀膜过程中,影响靶材镀膜沉积速率的因素:溅射电流。磁控靶的溅射电流与溅射靶材表面的离子电流成正比,因此也是影响溅射速率的重要因素。磁控溅射有一个普遍规律,即在较佳气压下沉积速度较快。因此,在不影响薄膜质量和满足客户要求的前提下,从溅射良率考虑气体压力的较佳值是合适的。改变溅射电流有两种方法:改变工作电压或改变工作气体压力。溅射功率:溅射功率对沉积速率的影响类似于溅射电压。一般来说,提高磁控靶材的溅射功率可以提高成膜率。然而,这并不是一个普遍的规则。在磁控靶材的溅射电压低,溅射电流大的情况下,虽然平均溅射功率不低,但离子不能被溅射,也不能沉积。前提是要求施加在磁控靶材上的溅射电压足够高,使工作气体离子在阴极和阳极之间的电场中的能量足够大于靶材的"溅射能量阈值"。磁控溅射属于辉光放电范畴,是利用阴极溅射原理进行镀膜。江西平衡磁控溅射优点
磁控溅射设备的主要用途有哪些呢?1、被应用于装饰领域,被制成全反射及半透明膜,比如我们常用常换常买的手机壳,没想到吧;2、被应用于机械加工行业中提高涂层产品的寿命寿命。因为溅射磁控镀膜能够有效提高表面硬度、韧性、耐磨抗损以及耐化学侵蚀、耐高温,从而达到提高产品寿命的作用;3、被应用于微电子领域。在微电子领域作为一种非热式镀膜技术,主要应用在化学气相沉积(CVD)或金属有机;4、被应用于在高温超导薄膜、铁电体薄膜、薄膜发光材料、太阳能电池等方面的研究,发挥了非常重大且重要的作用。江西平衡磁控溅射优点物相沉积技术工艺过程简单,对环境改善,无污染,耗材少,成膜均匀致密,与基体的结合力强。
溅射技术是指使得具有一定能量的粒子轰击材料表面,使得固体材料表面的原子或分子分离,飞溅落于另一物体表面形成镀膜的技术。被粒子轰击的材料称为靶材,而被镀膜的固体材料称为基片。首先由极板发射出粒子,这些粒子一般是电子,接着使它们在外电场加速下与惰性气体分子一般是氩气分子(即Ar原子)碰撞,使得其电离成Ar离子和二次电子。Ar离子会受到电场的作用,以高速轰击靶材,使靶材表面原子或分子飞溅出去,落于基片表面沉积下来形成薄膜。
磁控溅射是由二极溅射基础上发展而来,在靶材表面建立与电场正交磁场,解决了二极溅射沉积速率低,等离子体离化率低等问题,成为镀膜工业主要方法之一。磁控溅射与其它镀膜技术相比具有以下特点:可制备成靶的材料广,几乎所有金属,合金和陶瓷材料都可以制成靶材;在适当条件下多元靶材共溅射方式,可沉积配比精确恒定的合金;在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体,可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜;通过精确地控制溅射镀膜过程,容易获得均匀的高精度的膜厚;通过离子溅射靶材料物质由固态直接转变为等离子态,溅射靶的安装不受限制,适合于大容积镀膜室多靶布置设计;溅射镀膜速度快,膜层致密,附着性好等特点,很适合于大批量,高效率工业生产。磁控溅射镀膜产品优点:几乎所有材料都可以通过磁控溅射沉积,而不论其熔化温度如何。
交流磁控溅射和直流溅射的区别如下:交流磁控溅射和直流溅射相比交流磁控溅射采用交流电源代替直流电源,解决了靶面的异常放电现象。交流溅射时,靶对真空室壁不是恒定的负电压,而是周期一定的交流脉冲电压。设脉冲电压的周期为T,在负脉冲T—△T时间间隔内,靶面处于放电状态,这一阶段和直流磁控溅射相似;靶面上的绝缘层不断积累正电荷,绝缘层上的场强逐步增大;当场强增大至一定限度后靶电位骤降为零甚至反向,即靶电位处于正脉冲△T阶段。在△T时间内,放电等离子体中的负电荷─电子向靶面迁移并中和了绝缘层表面所带的正电荷,使绝缘层内场强恢复为零,从而消除了靶面异常放电的可能性。磁控溅射在靶材表面建立与电场正交磁场。河南脉冲磁控溅射价格
溅射是指荷能颗粒轰击固体表面,使固体原子或分子从表面射出的现象。江西平衡磁控溅射优点
反应磁控溅射特点:(1)采用双靶中频电源解决反应磁控溅射过程中因阳极被绝缘介质膜覆盖而造成的等离子体不稳定现象,同时还解决了电荷积累放电的问题。(2)利用等离子发射谱监测等离子体中的金属粒子含量,调节反应气体流量使等离子体放电电压稳定,从而使沉积速率稳定。(3)使用圆柱形旋转靶减小绝缘介质膜的覆盖面积。(4)降低输入功率,并使用能够在放电时自动切断输出功率的智能电源抑制电弧。(5)反应过程与沉积过程分室进行,既能有效提高薄膜沉积速率,又能使反应气体与薄膜表面充分反应生成化合物薄膜。江西平衡磁控溅射优点