蚌埠PVD真空镀膜

电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀，将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，薄片只能通过坩埚边沿来导热，散热速率慢，有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。PVD(气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是快的，它已经成为当今先进的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。镀膜技术可用于提升产品的抗老化性能。蚌埠PVD真空镀膜

镀膜技术工艺包括光刻、真空磁控溅射、电子束蒸镀、ITO镀膜、反应溅射，在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热。磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。低压气相沉积真空镀膜外协高质量的真空镀膜能增强材料性能。

LPCVD设备的设备构造可以根据不同的反应室形状和衬底放置方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）水平式LPCVD设备，是指反应室呈水平圆筒形，衬底水平放置在反应室内部或外部的托盘上，气体从一端进入，从另一端排出；（2）垂直式LPCVD设备，是指反应室呈垂直圆筒形，衬底垂直放置在反应室内部或外部的架子上，气体从下方进入，从上方排出；（3）旋转式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出；（4）行星式LPCVD设备，是指反应室呈水平或垂直圆筒形，衬底放置在反应室内部或外部可以旋转并围绕中心轴转动的盘子上，气体从一端进入，从另一端排出。

PVD镀膜(离子镀膜)技术，其具体原理是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上。特点,采用PVD镀膜技术镀出的膜层，具有高硬度、高耐磨性(低摩擦系数)、很好的耐腐蚀性和化学稳定性等特点，膜层的寿命更长;同时膜层能够大幅度提高工件的外观装饰性能。PVD镀膜能够镀出的膜层种类，PVD镀膜技术是一种能够真正获得微米级镀层且无污染的环保型表面处理方法，它能够制备各种单一金属膜（如铝、钛、锆、铬等），氮化物膜（TiN、ZrN、CrN、TiAlN）和碳化物膜（TiC、TiCN），以及氧化物膜（如TiO等）。PVD镀膜膜层的厚度—PVD镀膜膜层的厚度为微米级，厚度较薄，一般为0.3μm～5μm，其中装饰镀膜膜层的厚度一般为0.3μm～1μm，因此可以在几乎不影响工件原来尺寸的情况下提高工件表面的各种物理性能和化学性能，镀后不须再加工。镀膜技术为产品提供优越的防腐保护。

通常在真空镀膜中制备的薄膜与衬底的粘附主要与一下几个因素有关：1.衬底表面的清洁度；2.制备时腔体的本底真空度；3.衬底表面的预处理。衬底的清洁度会严重影响薄膜的粘附力，也可能导致制备的薄膜在脏污处出现应力集中甚至导致开裂；设备的本底真空也是影响粘附力的重要5因素，对于磁控溅射来说，通常要保证设备的本底真空尽量低于5E-6Torr；对于某些衬底表面，通常可以使用等离子体对其进行预处理，也能很大程度增加薄膜的粘附力。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体。南充真空镀膜厂

使用CVD的方式进行沉积氧化氮化硅(SiOxNy)与氮化硅(SiNx)能有效提高钝化发射极和后极电池效率。蚌埠PVD真空镀膜

LPCVD设备中较新的是垂直式LPCVD设备，因为其具有结构紧凑、气体分布均匀、薄膜厚度一致、颗粒污染少等优点。垂直式LPCVD设备可以根据不同的气体流动方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）层流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向平行流动，从反应室上方排出；（2）湍流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向紊乱流动，从反应室上方排出；（3）对流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向循环流动，从反应室下方排出。蚌埠PVD真空镀膜