北京真空镀膜加工

真空镀膜的优点：1、镀覆材料广，可作为真空镀蒸发材料有几十种，包括金属、合金和非金属。真空镀膜加工还可以像多层电镀一样，加工出多层结构的复合膜，满足对涂层各种不同性能的需求；2、真空镀膜技术可以实现不能通过电沉积方法形成镀层的涂覆：如铝、钛、锆等镀层，甚至陶瓷和金刚石涂层，这是十分难能可贵的；3、真空镀膜性能优良：真空镀膜厚度远小于电镀层，但涂层的耐摩擦和耐腐蚀性能良好，孔隙率低，而且无氢脆现象，相对电镀加工而言可以节约大量金属材料；4、环境效益优异：真空镀膜加工设备简单、占地面积小、生产环境优雅洁净，无污水排放，不会对环境和操作者造成危害。在注重环境保护和大力推行清洁生产的形势下，真空镀膜技术在许多方面可以取代电镀加工。使用CVD的方式进行沉积氧化氮化硅(SiOxNy)与氮化硅(SiNx)能有效提高钝化发射极和后极电池效率。北京真空镀膜加工

LPCVD设备中较新的是垂直式LPCVD设备，因为其具有结构紧凑、气体分布均匀、薄膜厚度一致、颗粒污染少等优点。垂直式LPCVD设备可以根据不同的气体流动方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）层流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向平行流动，从反应室上方排出；（2）湍流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向紊乱流动，从反应室上方排出；（3）对流式垂直LPCVD设备，是指气体从反应室下方进入，沿着垂直方向循环流动，从反应室下方排出。遵义UV光固化真空镀膜镀膜层能明显提升产品的抗冲击性能。

电子束真空镀膜的物理过程：物理的气相沉积技术的基本原理可分为三个工艺步骤：（1）电子束激发镀膜材料金属颗粒的气化：即镀膜材料的蒸发、升华从而形成气化源，（2）镀膜材料粒子（（原子、分子或离子）的迁移：由气化源供出原子、分子或离子（原子团、分子团或离子团）经过碰撞，产生多种反应。（3）镀膜材料粒子在基片表面的沉积。LPCVD反应的能量源是热能，通常其温度在500℃-1000℃之间，压力在0.1Torr-2Torr以内，影响其沉积反应的主要参数是温度、压力和气体流量，它的主要特征是因为在低压环境下，反应气体的平均自由程及扩散系数变大，膜厚均匀性好、台阶覆盖性好。目前采用LPCVD工艺制作的主要材料有：多晶硅、单晶硅、非晶硅、氮化硅等。

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到抑制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒。PECVD主要应用在芯片制造、太阳能电池、光伏等领域。

电子束蒸发蒸镀如钨(W）、钼（Mo）等高熔点材料，需要在坩埚的结构上做一定的改进。高熔点的材料采用锭或者颗粒状放在坩埚当中，因为水冷坩埚导热过快，材料难以达到其蒸发的温度。经过实验的验证，蒸发高熔点的材料可以用薄片来蒸镀，将1mm材料薄片架空于碳坩埚上沿，薄片只能通过坩埚边沿来导热，散热速率慢，有利于达到蒸发的熔点。采用此方法可满足蒸镀50nm以下的材料薄膜。PVD(气相沉积)镀膜技术主要分为三类，真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜。对应于PVD技术的三个分类，相应的真空镀膜设备也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。近十多年来，真空离子镀膜技术的发展是快的，它已经成为当今先进的表面处理方式之一。我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。真空镀膜技术为产品提供可靠保护。东莞小家电真空镀膜

真空镀膜过程中需防止尘埃污染。北京真空镀膜加工

LPCVD设备中常用的是水平式LPCVD设备，因为其具有结构简单、操作方便、沉积速率高、产能大等优点。水平式LPCVD设备可以根据不同的加热方式进行分类。常见的分类有以下几种：（1）电阻丝加热式LPCVD设备，是指使用电阻丝作为加热元件，将电阻丝缠绕在反应室外壁或内壁上，通过电流加热反应室和衬底；（2）卤素灯加热式LPCVD设备，是指使用卤素灯作为加热元件，将卤素灯安装在反应室外壁或内壁上，通过辐射加热反应室和衬底；（3）感应加热式LPCVD设备，是指使用感应线圈作为加热元件，将感应线圈围绕在反应室外壁或内壁上，通过电磁感应加热反应室和衬底。北京真空镀膜加工