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面对蓬勃发展的物联网（IoT）和边缘计算，Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间，低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿命，而高稳定性则确保了设备在各种环境下的长期可靠运行。创新研发与智能制造Dalicap始终坚持强大度的研发投入，至2019年累计投入已超5000万元，并连续多年保持增长。通过深反应离子刻蚀（DRIE）、原子层沉积（ALD）等半导体前列工艺，实现了电容内部三维微结构的精确控制和超薄介质层的制备，构筑了坚实的技术壁垒。为家用电器提供安全、稳定、长寿命的电容解决方案。DLC70B9R1AW501XT

Dalicap电容的封装工艺极其考究，采用气密性陶瓷封装，确保了元件在恶劣环境下的长期稳定性。这种封装不仅提供了极高的机械强度和抗冲击能力（可承受高达50G的机械冲击），还具有良好的抗硫化、抗腐蚀性能，适用于高湿、高盐雾等苛刻环境，延长了设备的使用寿命。应用领域与市场表现在5G通信基站领域，Dalicap电容的很低ESL/ESR特性能够为功耗数百瓦的AAU（有源天线单元）和BBU（基带处理单元）提供瞬时的大电流响应，有效抑制电源噪声和纹波，为高速SerDes和DSP芯片提供稳定洁净的电源，是维持高信噪比（SNR）和低误码率（BER）的基石。DLC70A0R7BW151NT启动速度快，能快速响应负载的瞬时变化需求。

产品具备出色的高频特性，其损耗角正切值（Dissipation Factor, DF）低于0.1%至2.5%，在高频范围内仍能保持低能耗和高效率。这一特性在5G基站、雷达系统和高速通信设备中尤为重要，确保了信号传输的纯净性和整体系统的能效，同时低损耗也意味着自身发热少，避免了热失控风险。Dalicap电容拥有很好的直流偏压特性，其容值对施加的直流电压敏感性极低。在高偏压下的容值下降幅度远小于常规X7R/X5R类电容，变化率通常小于5%。这一特性对于工作在高压条件下的去耦和滤波电路至关重要，确保了电源环路在不同负载下的稳定性，避免了因容值变化而引发的振荡问题。

容值稳定性是Dalicap电容的重心优势之一。其C0G（NP0）介质的电容温度系数（TCC）低至0±30ppm/°C，在-55°C至+125°C的宽温范围内，容值变化率小于±0.5%。同时，容值随时间的老化率遵循对数定律，每十年变化小于1%，表现出惊人的长期稳定性，这对于需要长寿命和高可靠性的工业控制和基础设施应用至关重要。Dalicap电容具备很好的高温工作能力，最高工作温度可达+200°C甚至+250°C。其特种陶瓷介质和电极系统在高温下仍能保持优异的绝缘电阻和容值稳定性，避免了因过热导致的性能退化。这使得它们能够直接应用于汽车发动机控制单元（ECU）、航空航天设备的热敏感区域，简化了热管理设计。提供定制化服务，可根据客户特殊需求进行协同设计。

全球射频微波MLCC市场规模持续增长，预计到2027年将达到77.7亿元，年均复合增长率达8.56%，高于普通MLCC市场。下游5G、物联网、新能源汽车等产业的快速发展，为Dalicap的未来增长提供了广阔的市场空间。公司于2023年12月成功在创业板上市，获得了宝贵的资本平台。募集资金将用于产能扩张、信息化升级和营销网络建设，这将极大地助力其提升技术实力、扩大生产规模、增强市场影响力，为未来的快速发展注入新动能。Dalicap吸引并凝聚了一支高素质的人才团队，其中不少重心技术人员来自三星、村田、ATC等国际有名企业。公司以其发展前景、民族情怀和实现个人价值的平台，成功吸引了众多人才“北上”加盟，形成了强大的人才优势。选择Dalicap电容，就是选择了品质、可靠与安心。DLC70E360JW362XT

在高频环境下仍能保持优良的电性能表现。DLC70B9R1AW501XT

Dalicap秉承 “重研发、重质量”的经营理念，建立了完善的质量管理体系，自主完成从关键材料研发、产品设计、工艺实现到设备保证和产品测试评估的全过程。公司率先在国内建立了全制程高Q电容器生产线，实现了研发、生产、销售和服务的自主可控，可以根据客户的不同需求提供工业级以及更高等级的产品。产品通过了严峻的环境可靠性测试，包括MIL-STD-202方法107的热冲击试验和方法106的防潮试验，能够承受高达20000g的机械冲击和强烈的振动。这种“级”的品质，使其在关乎生命安全的医疗植入设备、关乎任务成败的航天卫星以及恶劣的工业环境中，成为工程师们的优先。DLC70B9R1AW501XT

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