SEMIKRON赛米控SKR2F50/04

赛米控模块均流性能出色，支持多模块并联运行以提升功率。SEMTIRANS 模块多模块并联时均流误差小于 3%，港口 40 吨起重机制动系统通过 4 台模块并联实现 200KW 能量回馈功率；光伏逆变器模块并联均流误差小于 2%，满足大型光伏电站扩容需求；均流性能优化设计确保各模块电流分配均匀，避免部分模块因电流过大而损坏，延长并联系统整体寿命。优异的均流特性让模块可通过并联灵活提升输出功率，适配大功率设备需求，同时降低单模块功率设计压力，提高系统可靠性与灵活性。风电变流器模块是赛米控产品之一，转换效率高，适配风力发电系统。SEMIKRON赛米控SKR2F50/04

赛米控模块突出高功率密度特点，在有限空间内实现高功率输出。兆瓦级水冷 SKiiP 模块功率密度达 80W/cm³，相比传统模块体积缩小 40%，2MW 风电变流器采用该模块后，柜体体积从 3m³ 降至 1.8m³，运输与安装成本降低 25%；GaN 模块应用于 65W 快充适配器，体积大幅缩小，便于携带；MiniSKiiP 模块体积* 100mm×60mm×20mm，可嵌入机器人手臂内部，减少关节体积。高功率密度特性节省设备安装空间，降低系统体积与重量，适配新能源汽车、小型工业设备、便携电子设备等对空间要求高的场景。SEMIKRON赛米控SKiiP82AC12IT1赛米控 IGBT 模块在 UPS 设备中，断电切换逆变模式快于 10 毫秒。

低电压大电流模块是 SEMIKRON 针对 24V-96V 低压场景开发的产品，如电动叉车、工程车、低压电机驱动等，以大电流输出与低损耗为特色。模块额定电流可达 1000A，导通压降低至 0.8V（@25℃），开关损耗小，电动叉车应用中，续航里程提升 10%-15%，充电时间缩短至 1.5 小时。模块采用多芯片并联设计，均流误差小于 3%，保障各芯片电流分配均匀，延长模块寿命。外壳采用高防护等级设计，IP65 防护可抵御粉尘与喷水，适配户外与恶劣工业环境。某电动叉车厂商应用该模块后，叉车故障率从 3% 降至 0.8%，维护成本降低 40%。SEMIKRON 还与芯力能等企业合作，推出 24V-96V 逆变器平台，结合模块与电机控制方案，为低压设备提供一体化动力解决方案。

SEMITOP 系列是 SEMIKRON 针对小功率应用推出的**模块，以高集成度为***特征。该系列模块将整流、续流等多组功能电路整合于单一封装内，外部引脚数量减少 30% 以上，大幅简化下游设备电路布局。其额定电流覆盖 5A-50A，额定电压*高达 1200V，支持 -40℃至 125℃宽温工作范围，适配家电、小型工业设备等场景。以家用中央空调压缩机驱动器为例，SEMITOP 模块通过集成 IGBT 芯片与续流二极管，使驱动器体积压缩至传统分立方案的 60%，同时降低电路寄生参数，压缩机启停响应速度提升 15%。模块采用耐老化环氧封装材料，在 85℃/85% RH 湿热环境下持续工作 5000 小时后，绝缘性能无明显衰减，充分满足小功率设备长期稳定运行需求。轨道交通领域，它转换电能控列车电机，确保行驶稳定，减少能耗。

SEMIKRON赛米控积极布局宽禁带半导体领域，基于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）材料开发新一代模块，突破传统硅基模块的性能瓶颈。其 SiC 模块采用意法半导体的先进 SiC MOSFET 芯片，额定电压达 1200V-3300V，开关频率可达 100KHz，是传统 IGBT 模块的 5 倍，适用于新能源汽车快充、高频电源等场景。以新能源汽车的 800V 快充系统为例，采用 SiC 模块后，快充桩的转换效率提升至 97%，充电时间从 1 小时缩短至 20 分钟，同时模块的体积缩小 50%，使快充桩更便于安装。在 GaN 模块领域，SEMIKRON 开发了 650V 的 GaN HEMT 模块，开关损耗*为传统硅基模块的 1/5，适用于消费电子的快充适配器、数据中心电源等场景，某 65W GaN 快充适配器采用该模块后，体积缩小至传统适配器的 40%，重量减轻 50%，且工作时的噪音降低至 30dB 以下。目前，SEMIKRON赛米控 已建成 SiC/GaN 模块生产线，预计 2025 年宽禁带半导体模块的产能将占总产能的 30%，推动电力电子设备向高频、高效、小型化方向发展。赛米控智能电网模块，用于柔性直流输电等，保障电网稳定。SEMIKRON赛米控SKiiP82AC12IT1

赛米控汽车电子模块，含车载充电器模块，助力新能源汽车续航提升。SEMIKRON赛米控SKR2F50/04

陶瓷基板是 SEMIKRON 模块的关键绝缘部件，其加工工艺直接影响模块的绝缘性能与导热效率。SEMIKRON 采用高纯度氧化铝陶瓷（纯度 96%）作为基板材料，厚度控制在 0.38mm-1.0mm，通过精密磨削工艺，基板表面平整度误差小于 5μm，确保芯片与基板的紧密贴合。在金属化处理上，采用厚膜印刷技术在陶瓷基板表面形成铜电路层，铜层厚度达 30μm，导电性能优异，且通过高温烧结（850℃）与陶瓷基板紧密结合，剥离强度大于 5N/mm，可承受模块长期热循环产生的应力。为验证绝缘性能，每片陶瓷基板需经过 1000Vrms 的耐压测试，持续 1 分钟无击穿现象；在导热性能测试中，基板的热阻控制在 0.15K/W 以下，确保热量高效传递。此外，SEMIKRON 还针对高功率模块开发了氮化铝陶瓷基板（导热系数 170W/(m・K)），相比氧化铝基板，导热性能提升 2 倍，适用于兆瓦级水冷 SKiiP 等大功率模块，进一步突破模块的散热瓶颈。SEMIKRON赛米控SKR2F50/04