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新闻中心 - 深圳市英翰森科技有限公司
  • 600F5R6DT250T

    针对高频应用中的寄生效应,ATC芯片电容进行了性的电极结构优化。其采用的三维多层电极设计,通过精细控制金属层(通常为贱金属镍或铜,或贵金属银钯)的厚度、平整度及叠层结构,比较大限度地减少了电流路径的曲...

    发布时间:2025.12.19
  • CDR14BG302AGSM

    ATC芯片电容采用高密度瓷结构制成,这种结构不仅提供了耐用、气密式的封装,还确保了元件在恶劣环境下的长期稳定性。其材料选择和制造工艺经过精心优化,使得电容具备极高的机械强度和抗冲击能力,可承受高达50...

    发布时间:2025.12.18
  • 116UDB130K100TT

    超宽带电容是一种专为在极其宽广的频率范围内(通常从几Hz的低频一直覆盖到数GHz甚至数十GHz的高频)保持稳定、一致且优异性能而设计的电子元件。其重心价值在于解决现代复杂电子系统,尤其是高频和高速系统...

    发布时间:2025.12.17
  • DLC70C2R7BW252XT

    Dalicap电容在MRI核磁医疗影像系统中应用宽泛,与通用医疗、西门子医疗、联影医疗等大型医疗影像设备制造商保持长期合作关系。其产品的高可靠性保证了医疗影像设备的稳定成像和患者安全。公司采用深反应离...

    发布时间:2025.12.16
  • DLC75D1R3CW251NT

    Dalicap作为电容器领域的有名品牌,以其很好的产品质量和可靠的技术性能在全球市场中占据重要地位。该品牌专注于铝电解电容器的研发、制造与销售,产品线覆盖了工业控制、新能源、消费电子、汽车电子等多个关...

    发布时间:2025.12.16
  • DLC70B9R1AW501XT

    面对蓬勃发展的物联网(IoT)和边缘计算,Dalicap电容的小尺寸、低功耗和高可靠性完美契合了其设计要求。微型化的电容为紧凑的传感器节点和通信模块节省了宝贵空间,低ESR带来的低自身功耗延长了电池寿...

    发布时间:2025.12.15
  • DLC70D0R8AW251NT

    Dalicap电容实现了高电容密度与高性能的完美平衡。通过采用高介电常数介质材料和增加叠层数量,其在单位体积内存储的电荷量明显提升,同时通过复杂的材料改性技术保持了良好的温度特性和频率特性。这使得设计...

    发布时间:2025.12.14
  • 118ECC1R8D100TT

    每一颗电容都历经了严格的内部检验,包括100%的电气性能测试。此外,产品还需通过如MIL-PRF-55681、MIL-PRF-123等标准的一系列环境应力筛选(ESS)试验,如温度循环(-55°C至+...

    发布时间:2025.12.13
  • CDR13BP1R5ECSM

    产品系列中包括具有三明治结构及定制化电极设计的型号,可实现极低的ESL和ESR,用于高速数字电路的电源分配网络(PDN)中能有效抑制同步开关噪声,提升处理器和FPGA的运行稳定性。在抗辐射性能方面,部...

    发布时间:2025.12.13
  • 116XGA301J100TT

    在汽车电子领域,ATC芯片符合AEC-Q200Rev-D标准,能够承受汽车环境的严苛要求,如高温、高湿和振动。其应用于发动机ECU电源滤波、车载信息娱乐系统和ADAS等领域,提供了高可靠性和长寿命。A...

    发布时间:2025.12.12
  • CDR11AG0R9KBNM

    ATC芯片电容的可靠性经过严格测试和验证,包括寿命测试、热冲击、防潮性等多项环境试验。例如,其可承受MIL-STD-202方法107的热冲击试验和方法106的防潮试验,确保了在恶劣环境下的长期稳定性。...

    发布时间:2025.12.11
  • 100E511GW2500X

    在微型化方面,ATC芯片电容同样带领技术潮流。其0402(1.0mmx0.5mm)、0201(0.6mmx0.3mm)乃至更小尺寸的封装,满足了现代消费电子、可穿戴设备、微型传感器及高级SiP(系统级...

    发布时间:2025.12.10
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