增城区热红外显微镜

致晟光电在 Thermal EMMI 技术的基础上，融合了自主研发的 实时瞬态锁相红外热分析技术（RTTLIT），提升了弱信号检测能力。传统 Thermal EMMI 在处理极低功耗芯片或瞬态缺陷时，容易受到环境热噪声干扰，而锁相技术可以在特定频率下同步提取信号，将信噪比提升数倍，从而捕捉到更细微的发热变化。这种技术组合不仅保留了 Thermal EMMI 的非接触、无损检测优势，还大幅拓宽了其应用场景——从传统的短路、漏电缺陷分析，延伸到纳瓦级功耗的功耗芯片、电源管理芯片以及新型传感器的可靠性验证。通过这一技术，致晟光电能够为客户提供更好、更快速的失效定位方案，减少剖片次数，降低分析成本，并提高产品开发迭代效率。热红外显微镜范围：探测波长通常覆盖 2-25μm 的中长波红外区域，适配多数固体、液体样品的热辐射特性。增城区热红外显微镜

作为国内少数掌握 Thermal EMMI 技术并实现量产的企业之一，致晟光电在设备国产化和产业落地方面取得了双重突破。设备在光路设计、探测器匹配、样品平台稳定性等关键环节均采用自主方案，确保整机性能稳定且易于维护。更重要的是，致晟光电深度参与国内封测厂、晶圆厂及科研机构的失效分析项目，将 Thermal EMMI 不仅用于研发验证，还延伸至生产线质量监控和来料检测。这种从实验室走向产线的转变，意味着 Thermal EMMI 不再只是少数工程师的“显微镜”，而是成为支撑国产半导体产业质量提升的重要装备。通过持续优化算法、提升检测效率，致晟光电正推动 Thermal EMMI 技术在国内形成成熟的应用生态，为本土芯片制造保驾护航。什么是热红外显微镜内容热红外显微镜范围：空间分辨率可达微米级，能观测样品微小区域（如 1μm×1μm）的热辐射变化。

在半导体IC裸芯片的研发与检测过程中，热红外显微镜是一种不可或缺的分析工具。裸芯片内部结构高度紧凑、集成度极高，即便出现微小的热异常，也可能对性能产生不良影响，甚至引发失效。因此，建立精确可靠的热检测手段显得尤为重要。热红外显微镜能够以非接触方式实现芯片热分布的成像与分析，直观展示芯片在运行状态下的温度变化。通过识别局部热点，工程师可以发现潜在问题，这些问题可能来源于电路设计缺陷、局部电流过大或器件老化等因素，从而在早期阶段采取调整设计或改进工艺的措施。

在材料科学领域，研究人员通常需要了解不同材料在受热环境下的导热性能与热响应特性。传统的热分析方法多为宏观测量，难以揭示微观层面的温度变化。而热红外显微镜通过高分辨率的红外成像能力，能够将材料表面的温度分布清晰呈现出来，从而帮助研究人员深入理解材料的导热机制和失效模式。例如，在新型复合材料研究中，热红外显微镜能够直观显示各组分在受热条件下的热扩散差异，为材料结构优化提供实验依据。同时，该设备还能与其他光学显微技术联用，形成多维度的检测体系，使得实验数据更具完整性。热红外显微镜不仅在基础研究中发挥重要作用，也为新型材料的产业化应用提供了强有力的验证工具，推动了从实验室到工程应用的快速转化。热红外显微镜应用：在电子行业用于芯片热失效分析，准确定位芯片局部过热区域，排查电路故障。

半导体制程逐步迈入3纳米及更先进阶段，芯片内部结构愈发复杂密集，供电电压不断降低，微观热行为对器件性能的影响日益明显。在这一背景下，致晟光电热红外显微镜应运而生，并在传统热发射显微技术基础上实现了深度优化与迭代。该设备专为应对先进制程中的热管理挑战而设计，能够在芯片设计验证、失效排查及性能优化等关键环节中提供精密、可靠的热成像支持。通过对微观热信号的高灵敏度捕捉，致晟光电热红外显微镜为研发人员呈现出清晰的热分布图谱，有助于深入理解芯片内部的热演化过程，从而更有效地推动相关技术研究与产品迭代。热红外显微镜原理基于物体红外辐射定律，利用探测器接收微观区域热辐射并转化为电信号分析。IC热红外显微镜用途

热红外显微镜仪器采用抗干扰设计，可减少外界环境因素对微观热观测结果的影响，保障数据可靠。增城区热红外显微镜

在半导体芯片的失效分析和可靠性研究中，温度分布往往是**关键的参考参数之一。由于芯片结构高度集成，任何局部的异常发热都可能导致电性能下降，甚至出现器件击穿等严重问题。传统的接触式测温方法无法满足高分辨率与非破坏性检测的需求，而热红外显微镜凭借其非接触、实时成像的优势，为工程师提供了精细的解决方案。通过捕捉芯片表面微小的红外辐射信号，热红外显微镜能够清晰还原器件的热分布情况，直观显示出局部过热、散热不均等问题。尤其在先进制程节点下，热红外显微镜帮助研发团队快速识别潜在失效点，为工艺优化提供可靠依据。这一技术不仅***提升了检测效率，也在保障器件长期稳定性和安全性方面发挥着重要作用。增城区热红外显微镜