广东压敏电阻MOV电容

压敏电阻瞬态过电压损伤是指强瞬态过电压使电阻器穿孔，导致更大电流和高热火灾。整个过程在短时间内完成，因此设置在电阻器上的热熔触点没有时间熔断。在三相电源保护中，N-PE线路之间的变阻器烧毁着火的事故概率较高，且大多属于这种情况。相应的对策是在压敏电阻损坏后不起火。在一些压敏电阻的应用技术数据中，建议将电流保险丝（fuse）与压敏电阻串联保护。为避免压敏电阻失效起火，在选择时应对压敏电压和通流量留有足够的余量。高能型：指用于吸收发电机励磁线圈，起重电磁铁线圈等大型电感线圈中的磁能的压敏电压器。广东压敏电阻MOV电容

    压敏电阻基本性能：（1）保护特性，当冲击源的冲击强（或冲击电流Isp=Usp/Zs)不超过规定值时，压敏电阻的限制电压不允许超过被保护对象所能承受的冲击耐电压（Urp）。（2）耐冲击特性，即压敏电阻本身应能承受规定的冲击电流，冲击能量，以及多次冲击相继出现时的平均功率。（3）寿命特性有两项，一是连续工作电压寿命，即压敏电阻在规定环境温度和系统电压条件应能可靠地工作规定的时间（小时数）。二是冲击寿命，即能可靠地承受规定的冲击的次数。（4）压敏电阻介入系统后，除了起到"安全阀"的保护作用外，还会带入一些附加影响，这就是所谓"二次效应"，它不应降低系统的正常工作性能。这时要考虑的因素主要有三项，一是压敏电阻本身的电容量（几十到几万PF），二是在系统电压下的漏电流，三是压敏电阻的非线性电流通过源阻抗的耦合对其他电路的影响。 广东压敏电阻MOV电容当加在压敏电阻上的电压超过它的阈值时，流过它的电流激增，它相当于阻值无穷小的电阻。

压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。

压敏电阻基本参数：标称压敏电压(V)：指通过规定持续时间的脉冲电流（一般为1mA持续时间一般小于400mS）时压敏电阻器两端的电压值。2．电压比：指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。3．比较大限制电压(V)：在压敏能承受的比较大脉冲峰值电流Ip及规定波形下压敏电阻两端电压峰值。4．残压比：通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。5．通流容量(kA)：通流容量也称通流量，是指在规定的条件（规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。6．漏电流(mA)：漏电流也称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和比较大直流电压***过压敏电阻器电流。7d（7mm）压敏电阻的通流量一般为1.2kA，高焦耳产品通流量一般为1.75kA。

压敏电阻能量吸收能力ZnO压敏电阻的主要功能就是泄放浪涌冲击，将电压限制到对于保护电气设备无害的程度。压敏电阻本身也会受到各种操作浪涌的冲击，这些操作的冲击的幅值和持续时间各不相同。此外这种浪涌冲击也可能以重复波的形式出现，频率为60Hz，通常称为短时过电压。这些冲击相互之间的差别是持续时间，它可以从微秒级变到毫秒级。雷电的浪涌波形为8/20us，而操作浪涌的波形是100/1000us。另一方面，方波波形的持续时间为2000到5000us。压敏电阻不仅*在稳态电压下应当热稳定，而且必须吸收时间各不相同的各种浪涌冲击，不会产生过高的温度，从而避免热失控。因此，对ZnO压敏电阻来说，以J/cm的来度量的能量吸收能力是*次于非线性的第二个重要性能。20mm 压敏电阻脚间距一般为7.5mm或10mm。江西压敏电阻MOV接法

压敏电阻具有多种引线脚型。广东压敏电阻MOV电容

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