压敏电阻比较大允许电压（比较大限制电压MAXIMUMALLOWABLEVOLTAGE）此电压分交流和直流两种情况，如为交流，则指的是该压敏电阻所允许加的交流电压的有效值，以ACrms表示，所以在该交流电压有效值作用下应该选用具有该比较大允许电压的压敏电阻，实际上V1mA与ACrms间彼此是相互关联的，知道了前者也就知道了后者，不过ACrms对使用者更直接，使用者可根据电路工作电压，可以直接按ACrms来选取合适的压敏电阻。在交流回路中，应当有：min(U1mA)≥(2.2~2.5)Uac，式中Uac为回路中的交流工作电压的有效值。上述取值原则主要是为了保证压敏电阻在电源电路中应用时，有适当的安全裕度。对直流而言在直流回路中，应当有：min(U1mA)≥(1.62)Udc，式中Udc为回路中的直流额定工作电压。在信号回路中时，应当有：min(U1mA)≥(1.21.5)Umax，式中Umax为信号回路的峰值电压。压敏电阻的通流容量应根据防雷电路的设计指标来定。一般而言，压敏电阻的通流容量要大于等于防雷电路设计的通流容量。压敏电阻直径尺寸有：5mm、7mm、10mm、14mm、20mm、25mm、32mm、34mm、40mm、53mm。失效保护压敏电阻MOV包封层
国内压敏电阻应用研究进展：20世纪80年代中期，通过引进技术，我国的ZnO压敏电阻片制造水平得到迅速提高，电位梯度达约18kV/cm，能量吸收能力提高到约100J/cm3(比较高150J/cm。这是我国ZnO压敏电阻片制造水平迅速提高的阶段。随着ZnO压敏电阻片研究的不断深入，逐步将电位梯度提高到近年来的，能量吸收能力也有所提高，逐步满足了500kVMOA的需求，一定程度上满足了GIS-MOA小型化发展的阶段需要。电阻片的残压水平逐步降低，泄漏电流特别是阻性泄漏电流逐步减小，老化荷电率提高，老化特性变好(老化系数KCT接近1，甚至小于1)。由于能量吸收能力提高不多，电阻片规格却越做越大，促进了避雷器心体向单柱式发展。江苏压敏电阻MOV参数压敏电阻器简称VDR，是一种对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。
全系列贴片压敏电阻，在大尺寸贴片压敏电阻研发上更具技术优势，产品特点：1)矩形，无外包封，适用于混合集成电路或印制线路的外贴元件。2)无引线，尺寸规格系列化，1005[0402]、1608[0603]、2012[0805]、3216[1206]、3225（1210）、4532（1812）、5650（2220）等3)操作温度范围：－55℃～＋125℃4）工作电压范围v1ma(dc)＝3.3～68v5）具有双向限制特性6）适合esd保护7）漏电流非常小8）寄生电感小、响应速度快（响应时间<0.5ns）9）优良的温度系数10）良好的焊接性能。
“压敏电阻"是一种具有非线性伏安特性的电阻器件，主要用于在电路承受过压时进行电压钳位，吸收多余的电流以保护敏感器件。英文名称叫“VoltageDependentResistor”简写为“VDR”,或者叫做“Varistor"。压敏电阻器的电阻体材料是半导体，所以它是半导体电阻器的一个品种。现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。所以从材料的角度来看，氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。在中国台湾，压敏电阻器称为"突波吸收器",有时也称为“电冲击（浪涌）抑制器（吸收器）”。 压敏电阻是一种传统的电路保护器件，一般用于电路防雷保护或浪涌保护。
压敏电阻(10)漏电流漏电流又称等待电流，是指压敏电阻器在规定的温度和比较大直流电压***过压敏电阻器的电流。(11)电压温度系数电压温度系数是指在规定的温度范围（温度为20~70℃）内，压敏电阻器标称电压的变化率，即在通过压敏电阻器的电流保持恒定时，温度改变1℃时压敏电阻两端的相对变化。(12)电流温度系数电流温度系数是指在压敏电阻器的两端电压保持恒定时，温度改变1℃时，流过压敏电阻器电流的相对变化。(13)电压非线性系数电压非线性系数是指压敏电阻器在给定的外加电压作用下，其静态电阻值与动态电阻值之比。(14)绝缘电阻绝缘电阻是指压敏电阻器的引出线（引脚）与电阻体绝缘表面之间的电阻值。(15)静态电容静态电容是指压敏电阻器本身固有的电容容量。压敏电阻虽然能吸收很大的浪涌电能量，但不能承受毫安级以上的持续电流，在用作过压保护时必须考虑到这一点。压敏电阻的选用，一般选择标称压敏电压V1mA和通流容量两个参数。氧化锌压敏电阻器是一种“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体”。热保护压敏电阻MOV电容
压敏电阻区分为两大类：①保护用压敏电阻，②电路功能用压敏电阻。失效保护压敏电阻MOV包封层
压敏电阻器的晶相
ZnO压敏陶瓷是以Zn为主体添加若于其它氧化物改性的烧结体。氧化物添加剂除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界。ZnO是n型半导体，它是构成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界相。因此，ZnO半导体陶瓷是多相陶瓷。图，它们的化学式及各种相的掺杂。(1)ZnO相:构成ZnO半导体陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型电导特性，不同方法测试得到室温电阻率为()Ω·cm;ZnO晶粒对V-I特性的影响，尤其在大电流情况下，ZnO晶粒上产生的压降更有决定性影响。(2)尖晶石相:尖晶石相是不连续的，该相和ZnO以及富铋相在高温下并存，因此它对各相的分配起作用，使富铋相有个特定的组成。又由于它在ZnO晶粒边界凝结，能够抑制ZnO晶粒的生长。(3)焦绿石相:该相也是不连续的，主要是在高温烧结时与ZnO形成富铋相。(4)富铋相:富铋相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相烧结成陶瓷。又由于富铋相在晶界层中结晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富铋相有产生高α值的作用。 失效保护压敏电阻MOV包封层