SMT工艺高导热银胶常见问题

高导热银胶导热率在 10W - 80W/mK，满足一般电子设备散热需求，其导电性和可靠性也能满足常规电子元件的电气连接和稳定工作要求 。半烧结银胶导热率处于 80W - 200W/mK 之间，在具备较高导热性能的同时，对 EBO 进行了优化，如 TS - 9853G 半烧结银胶符合欧盟 PFAS 要求，为其在环保要求较高的市场应用提供了优势 。烧结银胶导热率可达 200W/mK 以上，具有高可靠性和在高温下的稳定性，像 TS - 985A - G6DG 高导热烧结银胶在航空航天等极端环境应用中表现优异 。高导热银胶，提升设备整体效能。SMT工艺高导热银胶常见问题

半烧结银胶是 TANAKA 银胶产品中的重要组成部分，其独特的性能使其在特定领域有着广泛的应用。这类银胶的主要特性在于其烧结温度相对较低，能够在较为温和的条件下形成导电路径，这一特点使得它在一些对温度敏感的电子元件封装中具有明显优势。同时，半烧结银胶的粘合力较强，能够可靠地连接不同的材料，保证封装结构的稳定性。以 TS - 9853G 为例，这款半烧结银胶具有诸多亮点。首先，它符合欧盟 PFAS 要求，这在环保日益严格的现在具有重要意义。SMT工艺高导热银胶常见问题TS - 1855，汽车功率模块散热佳选。

烧结银胶的烧结原理是基于固态扩散机制和液态烧结辅助机制。在固态扩散机制中，当烧结温度升高到一定程度时，银原子获得足够的能量开始活跃，银粉颗粒之间通过原子的扩散作用逐渐形成连接。在烧结初期，银粉颗粒之间先是通过点接触开始形成烧结颈，随着原子不断扩散，颗粒间距离缩小，表面自由能降低，颈部逐渐长大变粗并形成晶界，晶界滑移带动晶粒生长 ，坯体中的颗粒重排，接触处产生键合，空隙变形、缩小。在烧结中期，颗粒和颗粒开始形成致密化连接，扩散机制包括表面扩散、表面晶格扩散、晶界扩散和晶界晶格扩散等，颗粒间的颈部继续长大，晶粒逐步长大并且颗粒之间的晶界逐渐形成连续网络，气孔相互孤立，并逐渐形成球形，位于晶粒界面处或晶粒结合点处。

TS - 9853G 还对 EBO（Early Bond Open，早期键合开路）进行了优化。在电子封装过程中，EBO 问题可能会导致电子元件之间的连接失效，影响产品的可靠性。TS - 9853G 通过特殊的配方设计和工艺优化，有效降低了 EBO 的发生概率。它在固化过程中能够形成更加均匀和稳定的连接结构，增强了银胶与电子元件之间的结合力，从而提高了产品的长期可靠性 。在功率器件封装中，即使经过多次热循环和机械振动，TS - 9853G 依然能够保持良好的连接性能，减少因 EBO 问题导致的产品失效，为功率器件的稳定运行提供了有力保障。高导热银胶，电子设备稳定基石。

烧结银胶则常用于对性能要求极高的关键部件，如逆变器中的功率芯片封装。逆变器是新能源汽车的重要部件之一，其性能直接影响汽车的动力性能和续航里程。烧结银胶的高导热率和高可靠性能够确保功率芯片在高功率运行时的稳定工作，提高逆变器的效率和可靠性，进而提升新能源汽车的整体性能 。这些银胶的应用对新能源汽车性能的提升作用有效。通过有效地散热和稳定的电气连接，它们能够提高电池的性能和寿命，增强电机控制器和逆变器的可靠性，从而提升新能源汽车的动力性能、续航里程和安全性 。TS - 1855 银胶，高效散热典范。应用高导热银胶行价

航空航天设备，靠它散热保运行。SMT工艺高导热银胶常见问题

除了高导热率，TS - 1855 还具有出色的附着力。它对各种模具尺寸的金属化表面都能保持良好的粘附能力，在 260℃、14MPa 的条件下，其 DSS（Die Shear Strength，芯片剪切强度）表现优异。这意味着在高温和高压的工作环境下，TS - 1855 能够可靠地将电子元件与基板连接在一起，确保电子设备在复杂工况下的稳定运行 。在射频功率设备中，即使设备在高频振动和温度变化的环境中工作，TS - 1855 凭借其强大的附着力，依然能够保证芯片与基板之间的紧密连接，维持设备的正常运行。SMT工艺高导热银胶常见问题