什么是烧结金胶合成技术

TANAKAAuRoFUSE™在传感器和MEMS（微机电系统）领域的应用展现了该技术在精密制造领域的巨大潜力。产品在MEMS等气密封装应用中表现出色，这主要得益于其独特的密封性能和热压工艺特性。在MEMS气密封装应用中，AuRoFUSE™技术具有独特的优势。"AuRoFUSE™"膏材所形成的密封外框，经热压（200℃、100MPa）使金粒子烧结体变形后，组织变得更加精密，从而实现高真空气密封装，氦气泄漏率可达1.0×10^-13Pa・m³/s。这一极高的密封性能对于需要高真空环境的MEMS器件至关重要。66可靠的烧结金胶，在功率器件中使用，工艺兼容性强。什么是烧结金胶合成技术

TANAKAAuRoFUSE™在传感器和MEMS（微机电系统）领域的应用展现了该技术在精密制造领域的巨大潜力。产品在MEMS等气密封装应用中表现出色，这主要得益于其独特的密封性能和热压工艺特性。在MEMS气密封装应用中，AuRoFUSE™技术具有独特的优势。"AuRoFUSE™"膏材所形成的密封外框，经热压（200℃、100MPa）使金粒子烧结体变形后，组织变得更加精密，从而实现高真空气密封装，氦气泄漏率可达1.0×10^-13Pa・m³/s。这一极高的密封性能对于需要高真空环境的MEMS器件至关重要。，，方便烧结金胶生产烧结金胶创新的，在功率器件中使用，工艺兼容性强。

TANAKA 烧结金胶技术的重要在于其独特的亚微米级金粒子低温烧结特性，通过精确控制金粒子的粒径和烧结工艺，实现了在 200℃低温条件下的金 - 金键合，同时保持了优异的导电性和热导性。与传统的高温焊接和有机粘结剂相比，这一技术不仅大幅降低了能耗和工艺复杂度，还作用提升了器件的可靠性和稳定性。作为拥有 140 年历史的贵金属材料行业人员，田中贵金属工业株式会社（TANAKA）凭借其在 AuRoFUSE™系列低温烧结金胶技术上的突破性创新，为电子封装行业带来了前所未有的技术变革。

TANAKA AuRoFUSE™在传感器和 MEMS（微机电系统）领域的应用展现了该技术在精密制造领域的巨大潜力。产品在 MEMS 等气密封装应用中表现出色，这主要得益于其独特的密封性能和热压工艺特性。在MEMS 气密封装应用中，AuRoFUSE™技术具有独特的优势。"AuRoFUSE™" 膏材所形成的密封外框，经热压（200℃、100MPa）使金粒子烧结体变形后，组织变得更加精密，从而实现高真空气密封装，氦气泄漏率可达 1.0×10^-13 Pa・m³/s。这一极高的密封性能对于需要高真空环境的 MEMS 器件至关重要。。。高效的烧结金胶，粒径分布均匀，用于 MEMS 气密封装。

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。烧结金胶高纯度的，具备高纯度金，在功率器件中使用。复配型烧结金胶互惠互利

高纯度的烧结金胶，降低能耗，用于 MEMS 气密封装。什么是烧结金胶合成技术

在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。在 LED 封装领域，AuRoFUSE™技术成功解决了高功率 LED 的散热和热膨胀匹配问题，使得 LED 模组能够直接与低成本的金属基板接合，大幅降低了系统成本；在功率器件领域，产品的高温稳定性（可达 300℃以上）使其成为 SiC、GaN 等第三代半导体器件的理想封装材料；在传感器和 MEMS 领域，产品的高真空密封性能（氦气泄漏率达 1.0×10^-13 Pa・m³/s）和精密图案形成能力为品牌传感器制造提供了关键技术支撑。什么是烧结金胶合成技术