IGBT烧结纳米银膏成分

性能高可靠银烧结材料，适用于高要求应用场景。能够解决传统焊料热导率不足问题，提升散热效率；降低界面孔隙率，提高器件可靠性与寿命；应对高功率器件高温失效问题；改善长时间印刷过程中的稳定性与一致性问题；满足半导体封装对高导电、高导热双重需求。广泛应用于光伏、新能源车辆、高铁、风力发电、充电桩等应用场景。同时适用于IGBT模块、SiC功率器件等对散热性能和连接可靠性要求极高的封装场景，满足长期高温高负载运行环境下的稳定性需求。纳米烧结银膏适配 SiC、GaN 宽禁带器件，是第三代半导体封装优先选择互连材料。IGBT烧结纳米银膏成分

烧结银膏其突出的性能优势在于其导热能力，烧结成型后的银网络热导率可达 200-300W/(m・K)，这一数值是传统锡基焊料（50-70W/(m・K)）的 4 至 5 倍。在高功率电子器件运行时，芯片会产生大量热量，传统焊料因导热效率不足易形成热堆积，导致器件结温过高、性能衰减甚至失效。而烧结银膏凭借超高热导率，能快速将芯片产生的热量传导至散热基板，降低器件热阻，将结温把控在安全范围。这一特性使其成为新能源汽车电控、工业电源、AI 服务器等大功率设备的优先选择热界面与连接材料，直接提升了整机系统的运行效率与可靠性。IGBT烧结纳米银膏成分聚峰烧结银膏专为宽禁带半导体设计，低孔隙率结构，提升芯片散热与连接可靠性。

聚峰烧结银膏专为电子封装领域的高温烧结场景研发，产品配方经多轮优化，可在固定温度下完成烧结，形成结构致密、结合牢固的银质导电层。该银膏聚焦电子封装导电需求，烧结后银层导电性能稳定，能降低器件内部电阻损耗，适配芯片、功率模块等关键组件的互连场景。无论是传统电子封装还是新型器件组装，聚峰烧结银膏均能通过高温烧结实现可靠连接，解决传统导电材料在高温工况下的性能衰减问题，为电子设备的稳定运行提供基础保证，助力封装工艺实现导电与可靠连接的双重目标。

纳米烧结银膏的微观结构是其高性能的关键后盾。通过配方设计与烧结工艺调控，其烧结后的银层孔隙率可稳定把控在 2%-5% 的极低水平。这种近乎全致密的微观结构，不*为电子和声子的传导提供了连续、顺畅的通道，较大化发挥银材料本征的导电、导热优势，更赋予了连接层优异的气密性与抗腐蚀能力。均匀分布的纳米级银晶粒（50-100nm）使得材料内部应力分布均衡，在长期的温度循环与功率载荷下，不易产生微裂纹与缺陷扩展。这种可控的微观结构，是纳米烧结银膏能够在高可靠场景中保持长期性能稳定的关键所在。纳米烧结银膏无铅无卤配方体系，符合电子行业规范，适配车规制程。

烧结纳米银膏依托国内自主研发的纳米合成与烧结技术，实现性能对标全球前列产品，打破了长期以来国外厂商在烧结银材料领域的垄断。其国产化供应不*降低了半导体封装材料的采购成本，还保证了供应链的自主可控，解决了关键材料 “卡脖子” 问题。凭借稳定的性能与本土化服务，为国内半导体、新能源等产业提供了稳定可靠的封装材料方案，助力国内电子制造产业的自主发展，推动电子材料国产化进程，提升我国在全球电子材料领域的竞争力。烧结纳米银膏适配 5G 射频、光模块与可穿戴传感器，兼顾高导电与轻薄化需求。上海低温烧结纳米银膏

聚峰 JF-PMAg02 烧结银膏可直接烧结裸铜表面，省去镀银工序，降低封装成本。IGBT烧结纳米银膏成分

聚峰烧结银膏具有良好的工艺适配性，支持丝网印刷、自动点胶等主流封装涂覆方式，可灵活适配不同制程需求。膏体触变性适中，印刷成型精度高，能够满足精细线路与微小间隙封装要求，适用于 HDI 高密度电路板、微型功率模块等产品。点胶工艺下出胶稳定、连续性好，可实现多芯片集成与异形结构封装。同时，该银膏对陶瓷、铜、铝等多种基材润湿良好，烧结后结合紧密，无气泡、无分层，提升封装良率。无需大幅改造产线设备即可导入使用，降低企业制程切换成本，提升生产效率与产品一致性。IGBT烧结纳米银膏成分