通过自主研发的实时瞬态锁相热分析系统(RTTLIT)通常由周期性激励源、高灵敏度红外探测器、锁相解调单元及图像处理软件组成,其中锁相解调单元通过同步采集激励信号与红外探测信号,计算两者的相位差与幅值,从而将隐藏在噪声中的微弱热信号分离出来。这种技术特性使其突破了传统红外检测在低对比度、强噪声场景下的局限性,尤其适用于需要对微小热异常进行定量分析的场景,为工业检测、科研探索等领域提供了更高精度的热成像解决方案。电激励与锁相热成像系统,实现微缺陷检测。锁相红外热成像系统批量定制

不同于单一技术的应用,致晟光电将锁相红外、热红外显微镜与InGaAs微光显微镜进行了深度融合,打造出全链路的检测体系。锁相红外擅长发现极其微弱的热缺陷,热红外显微镜则能够在更大范围内呈现器件的热分布,而InGaAs微光显微镜可提供光学通道,实现对样品结构的直观观察。三者结合后,研究人员能够在同一平台上实现“光学观察—热学定位—电学激励”的分析,提升了失效诊断的效率与准确性。对于半导体设计公司和科研机构而言,这不仅意味着测试效率的提升,也表示着从研发到量产的过渡过程更加稳健可控。致晟光电的方案,正在成为众多先进制造企业实现可靠性保障的关键工具。失效分析锁相红外热成像系统工作原理电激励强度可控,保障锁相热成像系统检测安全。

锁相红外技术凭借独特的技术设计,兼具高信噪比、深度分辨与微弱信号检测三大优势,同时在关键参数应用上具备灵活适配性:其通过保留与激励同频的有效信号,能高效滤除背景辐射、相机噪声等环境干扰,确保检测信号纯净度;针对不同深度缺陷,可利用热波相位延迟差异,通过相位差分析实现亚表面缺陷的定位,突破传统热成像的表层检测局限;还能捕捉传统热成像难以识别的微小温度变化,比如微电子器件中虚焊产生的微弱热信号,满足精细检测需求。在关键参数上,频率选择可按需调整,低频激励适用于探测深层缺陷,高频激励则适配表面或浅层缺陷检测;且相位图像相比幅值图像,更能清晰反映器件内部结构差异,为各类检测场景提供良好的技术支撑。
锁相红外热成像系统广泛应用于半导体行业的裸芯片热缺陷检测、多层印刷电路板(PCB)质量评估以及微电子封装内部缺陷分析。针对芯片和封装内部极其复杂的结构,传统检测手段难以发现的微小热点、虚焊和短路等缺陷,锁相红外技术能够实现非接触式、无损伤的精细定位。此外,该系统在电子元器件的寿命测试和热管理优化中同样发挥重要作用,能够持续监测器件的热行为变化,帮助研发团队预判潜在失效风险。除电子领域外,该技术也被广泛应用于航空航天、汽车电子及材料科学等领域,为关键部件的安全性与可靠性提供保障。
锁相热成像系统通过识别电激励引发的周期性热信号,可有效检测材料内部缺陷,其灵敏度远超传统热成像技术。

在锁相红外热成像系统原理中,相位锁定技术是突破弱热信号识别瓶颈的技术,其本质是利用信号的周期性与相关性实现噪声抑制。在实际检测场景中,被测目标的热信号常被环境温度波动、设备电子噪声、外部电磁干扰等掩盖,尤其是在检测深层缺陷或低导热系数材料时,目标热信号衰减严重,信噪比极低,传统红外热成像技术难以有效识别。相位锁定技术通过将激励信号作为参考信号,与探测器采集到的混合热信号进行同步解调,提取与参考信号频率、相位相关的热信号成分 —— 因为环境噪声通常为随机非周期性信号,与参考信号无相关性,会在解调过程中被大幅抑制。同时,该技术还能通过调整参考信号的相位,分离不同深度的热信号,实现缺陷的分层检测。实验数据表明,采用相位锁定技术后,系统对弱热信号的识别精度可提升 2-3 个数量级,即使目标温度变化为 0.001℃,也能稳定捕捉,为深层缺陷检测、微小温差识别等场景提供了技术支撑。锁相热红外电激励成像技术在各个领域具有广泛应用前景,为产品质量控制和可靠性保障提供了重要手段。显微锁相红外热成像系统范围
锁相热成像系统提升电激励检测的缺陷识别率。锁相红外热成像系统批量定制
苏州致晟光电科技有限公司自主研发的 RTTLIT 系统以高精度ADC(模数转换)芯片检测为例,其内部电路对电激励变化高度敏感,即便0.1%的电流波动,也可能造成局部温度异常,影响缺陷定位和分析结果。通过实时监控系统,可将参数波动控制在0.01%以内,从而有效保障热成像数据的可靠性和准确性。这不仅提升了锁相热成像系统在电子元件检测中的应用价值,也为生产线上的高精度元件质量控制提供了稳定、可控的技术环境,为后续失效分析和工艺优化提供了坚实支撑。锁相红外热成像系统批量定制