锁相锁相红外热成像系统选购指南

锁相解调单元是致晟 RTTLIT（LIT 技术系统）实现 “过滤噪声、提取有效热信号” 的重要环节，其工作逻辑基于 “信号相关性” 原理，能从复杂的背景噪声中筛选出与激励频率一致的热信号。具体而言，当周期性激励源向目标物体施加特定频率的电信号后，目标物体产生的热响应信号中，除了缺陷区域的有效热信号，还混杂着环境温度波动、设备自身发热等无关噪声。此时，锁相解调单元会将红外探测器采集的热像序列信号，与激励源的参考信号进行 “互相关运算”—— 由于有效热信号的频率与参考信号一致，运算后会形成明显的峰值；而噪声信号频率随机，运算后会被大幅抑制。致晟光电在该单元中加入了自主研发的 “自适应滤波算法”，可根据噪声强度动态调整运算参数，进一步提升噪声抑制效果，即使在复杂工业环境（如多设备同时运行的实验室）中，也能确保有效热信号的提取精度，让检测灵敏度稳定保持在 0.0001℃的水平。
高灵敏度：可检测微瓦级别热功率变化；锁相锁相红外热成像系统选购指南

致晟光电依托南京理工大学光电技术学院的科研背景，在锁相红外应用方面建立了深厚的学术与技术优势。目前，公司不仅面向产业客户提供设备与解决方案，还积极与科研院所开展联合实验室合作，共同推动热学检测与失效分析的前沿研究。随着半导体工艺的不断演进，先进封装与高功率器件的可靠性问题愈发凸显，锁相红外技术的应用需求将持续扩大。致晟光电将持续优化自身产品性能，从提升分辨率、增强灵敏度，到实现自动化与智能化分析，逐步打造国产化gao duan检测设备的biao gan。未来，公司希望通过技术创新与产业赋能，让锁相红外走出实验室，真正成为产业可靠性检测的标配工具。 显微锁相红外热成像系统技术参数该技术已成为前沿半导体失效分析实验室主要设备之一。

在半导体、微电子和功率器件领域，产品的性能与寿命往往取决于对热效应的精细控制。然而，传统的热成像手段受限于灵敏度和分辨率，难以满足现代高密度芯片和复杂封装工艺的需求。锁相红外热成像技术（Lock-in Thermography，简称LIT）凭借调制信号与热响应的相位差分析，能够有效放大微弱热源信号，实现纳瓦级的热异常定位。这一突破性手段为失效分析提供了前所未有的精细性。致晟光电在该领域深耕多年，结合自身研发的热红外显微镜与InGaAs微光显微镜，为行业客户提供了一套完整的高灵敏度检测解决方案，广泛应用于芯片短路点定位、功率器件散热优化以及复合材料缺陷检测，为半导体产业链的可靠性提升注入新动能。

锁相红外技术凭借独特的技术设计，兼具高信噪比、深度分辨与微弱信号检测三大优势，同时在关键参数应用上具备灵活适配性：其通过保留与激励同频的有效信号，能高效滤除背景辐射、相机噪声等环境干扰，确保检测信号纯净度；针对不同深度缺陷，可利用热波相位延迟差异，通过相位差分析实现亚表面缺陷的定位，突破传统热成像的表层检测局限；还能捕捉传统热成像难以识别的微小温度变化，比如微电子器件中虚焊产生的微弱热信号，满足精细检测需求。在关键参数上，频率选择可按需调整，低频激励适用于探测深层缺陷，高频激励则适配表面或浅层缺陷检测；且相位图像相比幅值图像，更能清晰反映器件内部结构差异，为各类检测场景提供良好的技术支撑。

适用于多种材料：如金属、半导体、复合材料等。

在科研领域，锁相红外技术（Lock-in Thermography，简称LIT）也为实验研究提供了精细的热分析手段：在材料热物性测量中，通过周期性激励与相位分析，可精确获取材料的热导率、热扩散系数等关键参数，助力新型功能材料的研发与性能优化；在半导体失效分析中，致晟光电自主研发的纯国产锁相红外热成像技术能捕捉芯片内微米级的漏电流、导线断裂等微弱热信号，帮助科研人员追溯失效根源，推动中国半导体器件的性能升级与可靠性和提升。热信号相位差揭示潜在结构缺陷。芯片用锁相红外热成像系统成像

提高信噪比，是锁相红外的优势之一。锁相锁相红外热成像系统选购指南

相较于传统静态热成像技术，锁相红外技术在检测原理、抗干扰能力与适用场景上实现了***升级，彻底改变了热成像 “粗略温度测绘” 的局限。传统静态热成像的**局限在于 “瞬时性” 与 “易干扰性”：它*能捕捉检测对象某一时刻的静态温度分布，无法持续追踪温度变化规律，且极易受环境因素影响 —— 比如周围环境的热辐射、气流扰动带来的温度波动，都会掩盖检测对象的真实温度信号，导致对微小缺陷或深层问题的判断出现偏差，尤其在检测精度要求高的场景中，传统静态热成像往往难以满足需求。锁相锁相红外热成像系统选购指南