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thermal锁相红外热成像系统

来源: 发布时间:2025年11月12日

在芯片研发与生产过程中,失效分析(FailureAnalysis,FA)是一项必不可少的环节。从实验室样品验证到客户现场应用,每一次失效背后,都隐藏着值得警惕的机理与经验。致晟光电在长期的失效分析工作中,积累了大量案例与经验,大家可以关注我们官方社交媒体账号(小红书、知乎、b站、公众号、抖音)进行了解。在致晟光电,我们始终认为——真正的可靠性,不是避免失效,而是理解失效、解决失效、再防止复发。正是这种持续复盘与优化的过程,让我们的失效分析能力不断进化,也让更多芯片产品在极端工况下依然稳定运行。RTTLIT 以锁相算法提取热信号。thermal锁相红外热成像系统

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Thermal和EMMI是半导体失效分析中常用的两种定位技术,主要区别在于信号来源和应用场景不同。Thermal(热红外显微镜)通过红外成像捕捉芯片局部发热区域,适用于分析短路、功耗异常等因电流集中引发温升的失效现象,响应快、直观性强。而EMMI(微光显微镜)则依赖芯片在失效状态下产生的微弱自发光信号进行定位,尤其适用于分析ESD击穿、漏电等低功耗器件中的电性缺陷。相较之下,Thermal更适合热量明显的故障场景,而EMMI则在热信号不明显但存在异常电性行为时更具优势。实际分析中,两者常被集成使用,相辅相成,以实现失效点定位和问题判断。国产锁相红外热成像系统P10致晟光电的锁相红外解决方案支持自定义检测参数,可适配不同封装类型的半导体器件,兼容性更强。

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致晟光电依托南京理工大学光电技术学院的科研背景,在锁相红外应用方面建立了深厚的学术与技术优势。目前,公司不仅面向产业客户提供设备与解决方案,还积极与科研院所开展联合实验室合作,共同推动热学检测与失效分析的前沿研究。随着半导体工艺的不断演进,先进封装与高功率器件的可靠性问题愈发凸显,锁相红外技术的应用需求将持续扩大。致晟光电将持续优化自身产品性能,从提升分辨率、增强灵敏度,到实现自动化与智能化分析,逐步打造国产化gao duan检测设备的biao gan。未来,公司希望通过技术创新与产业赋能,让锁相红外走出实验室,真正成为产业可靠性检测的标配工具。

非制冷红外相机主要参数:探测波段覆盖8-14微米,探测器材质多为氧化钒或非晶硅,无需依赖制冷设备,可在室温环境下稳定工作;主要优势:成本与寿命更具优势:整机采购成本较低,且连续开机使用寿命长(超过5年),运行过程无噪音,维护便捷性高;锁相模式性能突出:虽常规高分辨率约为10微米,但切换至锁相模式后,温度分辨能力可突破至<1mK,能精确识别微弱热辐射;半导体场景适配性强:在半导体工业中,可高效探测电路板线路、大功率元器件的漏电问题,为失效分析提供清晰的热信号依据。非接触检测:无需切割样品,保持器件完好;

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锁相热成像系统的电激励检测方式,在多层电路板质量检测中展现出优势。多层电路板由多个导电层与绝缘层交替叠加组成,层间通过过孔实现电气连接,结构复杂,极易在生产过程中出现层间短路、盲孔堵塞、绝缘层破损等缺陷,进而影响电气性能,甚至引发故障。通过电激励方式,可在不同层级的线路中施加电流,使其在多层结构中流动,缺陷区域因电流分布异常而产生局部温升。锁相热成像系统则可高灵敏度地捕捉这种细微温度差异,实现对缺陷位置与类型的定位。例如,在检测层间短路时,短路点处的温度会高于周围区域;盲孔堵塞则表现为局部温度分布异常。相比传统X射线检测技术,锁相热成像系统检测速度更快、成本更低,且能直观呈现缺陷位置,助力企业提升多层电路板的质量控制效率与良率。热像图分析分三步:整体观、精定位、判类型,速缩失效分析周期。高精度锁相红外热成像系统

相比传统红外检测设备,锁相红外技术通过相位锁定算法,有效抑制环境噪声干扰,检测精度提升明显。thermal锁相红外热成像系统

相较于传统静态热成像技术,锁相红外技术在检测原理、抗干扰能力与适用场景上实现了***升级,彻底改变了热成像 “粗略温度测绘” 的局限。传统静态热成像的**局限在于 “瞬时性” 与 “易干扰性”:它*能捕捉检测对象某一时刻的静态温度分布,无法持续追踪温度变化规律,且极易受环境因素影响 —— 比如周围环境的热辐射、气流扰动带来的温度波动,都会掩盖检测对象的真实温度信号,导致对微小缺陷或深层问题的判断出现偏差,尤其在检测精度要求高的场景中,传统静态热成像往往难以满足需求。thermal锁相红外热成像系统