芯片用锁相红外热成像系统规格尺寸

致晟光电依托南京理工大学光电技术学院的科研背景，在锁相红外应用方面建立了深厚的学术与技术优势。目前，公司不仅面向产业客户提供设备与解决方案，还积极与科研院所开展联合实验室合作，共同推动热学检测与失效分析的前沿研究。随着半导体工艺的不断演进，先进封装与高功率器件的可靠性问题愈发凸显，锁相红外技术的应用需求将持续扩大。致晟光电将持续优化自身产品性能，从提升分辨率、增强灵敏度，到实现自动化与智能化分析，逐步打造国产化gao duan检测设备的biao gan。未来，公司希望通过技术创新与产业赋能，让锁相红外走出实验室，真正成为产业可靠性检测的标配工具。 致晟 LIT 凭 0.0001℃灵敏度，能捕 IC 栅极漏电这类微小缺陷。芯片用锁相红外热成像系统规格尺寸

锁相红外热成像系统是融合锁相技术与红外热成像技术的失效检测设备，其主要原理是通过向被测目标施加周期性激励信号，利用锁相放大器对目标表面产生的微弱周期性温度变化进行精确提取与放大，从而结合红外热成像模块生成高对比度的热分布图像。相较于传统红外热成像设备，该系统比较大优势在于具备极强的抗干扰能力 —— 能够有效过滤环境温度波动、背景辐射等非目标噪声，即使目标表面温度变化为毫开尔文级别，也能通过锁相解调技术精确捕捉。工业检测锁相红外热成像系统市场价致晟 LIT 系统含周期性激励源，适配 IC、IGBT 等多类样品。

第二项局限性是 “检测速度相对较慢”：为了确保检测精度，锁相红外技术需要采集多个周期的温度图像进行积分分析 —— 只有通过多周期数据的积累与处理，才能有效提取微弱的缺陷信号，滤除噪声干扰，这导致它的检测效率远低于传统静态热成像技术。例如在大规模 PCB 电路板批量检测中，传统热成像可快速完成单块板的测温，而锁相红外技术则需要数分钟甚至更长时间才能完成一次精细检测，难以满足高速量产线的效率需求。不过，这些局限性并未削弱锁相红外技术的**价值：在对检测精度、缺陷识别深度有高要求的场景中，它的优势远大于局限。

苏州致晟光电科技有限公司自主研发的 RTTLIT 系统以高精度ADC（模数转换）芯片检测为例，其内部电路对电激励变化高度敏感，即便0.1%的电流波动，也可能造成局部温度异常，影响缺陷定位和分析结果。通过实时监控系统，可将参数波动控制在0.01%以内，从而有效保障热成像数据的可靠性和准确性。这不仅提升了锁相热成像系统在电子元件检测中的应用价值，也为生产线上的高精度元件质量控制提供了稳定、可控的技术环境，为后续失效分析和工艺优化提供了坚实支撑。致晟 Thermal 用 InGaAs 探测器，900-1700nm 波段量子效率 70%+，捕微弱热辐射。

在电子设备研发、生产与运维过程中，芯片、电路板的局部过热故障是导致设备性能下降、寿命缩短甚至烧毁的主要原因，而传统检测方法难以快速定位微小区域的过热问题。锁相红外热成像系统凭借高空间分辨率与高温度灵敏度，成为电子设备过热故障检测的高效工具。检测时，系统对电子设备施加周期性电激励（如模拟设备正常工作时的负载电流），此时芯片内的晶体管、电路板上的焊点等若存在接触不良、短路、老化等问题，会因电阻异常增大产生局部过热，形成与激励同频的热响应。系统通过红外焦平面阵列捕捉这些细微的热信号，经锁相处理后生成清晰的热图像，可精细定位过热区域，温度测量精度达 ±0.1℃，空间分辨率可识别 0.1mm×0.1mm 的微小过热点。在手机芯片研发中，该系统可检测芯片封装过程中的散热通道堵塞问题；在服务器运维中，能快速发现主板上老化的电容导致的局部过热，为电子设备的可靠性设计、生产质量管控与故障排查提供了关键技术支持。锁相红外系统通过热信号相位解调提升缺陷对比度。锁相红外热成像系统规格尺寸

锁相红外热像技术是半导体失效分析领域的重要检测手段，能捕捉微小发热缺陷的温度信号。芯片用锁相红外热成像系统规格尺寸

锁相红外技术在半导体失效分析中用途***，尤其在检测短路、漏电、接触不良以及材料内部裂纹方面表现突出。对于多层封装或 BGA 封装芯片，LIT 可以穿透一定厚度的封装材料，通过调制频率的调整，选择性地观测不同深度的缺陷。在质量控制领域，LIT 已被应用于生产线抽检，用于筛查潜在的早期缺陷，从而在产品出厂前避免潜在失效风险。此外，该技术也可用于太阳能电池板的隐裂检测、碳纤维复合材料的分层缺陷检测等跨领域应用，显示了其在电子、能源和材料检测中的通用价值。其非接触、无损检测的特性，使得 LIT 成为许多高价值样品的优先检测方法。芯片用锁相红外热成像系统规格尺寸