半导体失效分析锁相红外热成像系统P10

苏州致晟光电科技有限公司自主研发的 RTTLIT 系统以高精度ADC（模数转换）芯片检测为例，其内部电路对电激励变化高度敏感，即便0.1%的电流波动，也可能造成局部温度异常，影响缺陷定位和分析结果。通过实时监控系统，可将参数波动控制在0.01%以内，从而有效保障热成像数据的可靠性和准确性。这不仅提升了锁相热成像系统在电子元件检测中的应用价值，也为生产线上的高精度元件质量控制提供了稳定、可控的技术环境，为后续失效分析和工艺优化提供了坚实支撑。锁相技术可区分深层与表面热源。半导体失效分析锁相红外热成像系统P10

锁相红外热成像系统的工作原理围绕 “周期性激励与同频信号提取” 构建，是实现弱热信号精细检测的关键。其重要逻辑在于，通过信号发生器向被测目标施加周期性激励（如光、电、热激励），使目标内部存在缺陷或异常的区域，因热传导特性差异，产生与激励频率同步的周期性热响应。红外探测器实时采集目标的红外热辐射信号，此时采集到的信号中混杂着环境温度波动、电磁干扰等大量噪声，信噪比极低。锁相放大器通过引入与激励信号同频同相的参考信号，对采集到的混合信号进行相干检测，保留与参考信号频率一致的热信号成分，从而滤除绝大部分无关噪声。这一过程如同为系统 “装上精细的信号过滤器”，即使目标热信号微弱到为环境噪声的千分之一，也能被有效提取，终实现对目标热分布的精细测量与分析。Thermal EMMI锁相红外热成像系统对比锁相红外技术能有效检测IC漏电、短路及结温异常等问题。

在电子设备研发、生产与运维过程中，芯片、电路板的局部过热故障是导致设备性能下降、寿命缩短甚至烧毁的主要原因，而传统检测方法难以快速定位微小区域的过热问题。锁相红外热成像系统凭借高空间分辨率与高温度灵敏度，成为电子设备过热故障检测的高效工具。检测时，系统对电子设备施加周期性电激励（如模拟设备正常工作时的负载电流），此时芯片内的晶体管、电路板上的焊点等若存在接触不良、短路、老化等问题，会因电阻异常增大产生局部过热，形成与激励同频的热响应。系统通过红外焦平面阵列捕捉这些细微的热信号，经锁相处理后生成清晰的热图像，可精细定位过热区域，温度测量精度达 ±0.1℃，空间分辨率可识别 0.1mm×0.1mm 的微小过热点。在手机芯片研发中，该系统可检测芯片封装过程中的散热通道堵塞问题；在服务器运维中，能快速发现主板上老化的电容导致的局部过热，为电子设备的可靠性设计、生产质量管控与故障排查提供了关键技术支持。

在电子产业中，锁相热成像系统的检测精度在很大程度上依赖于电激励参数的稳定性，因此实时监控电激励参数成为保障检测结果可靠性的关键环节。在电子元件检测过程中，电激励的电流大小、频率稳定性等参数可能会受到电网波动、环境温度变化等因素影响而产生微小波动。虽然这些波动看似微不足道，但对于高精度电子元件而言，哪怕极小的变化也可能导致温度分布偏差，从而干扰对实际缺陷的判断。

为此，RTTLIT统能够持续采集电激励参数，并将监测数据即时反馈给控制系统，实现对激励源输出的动态调整，使电流、频率等参数始终维持在预设范围内。 随着半导体行业向高密度、高功率方向发展，锁相红外将成为保障产品质量的关键支撑，市场需求持续增长。

尤其在先进制程芯片研发过程中，锁相红外热成像系统能够解析瞬态热行为和局部功耗分布，为优化电路布局、改善散热方案提供科学依据。此外，该系统还可用于可靠性评估和失效分析，通过对不同环境和工况下器件的热响应进行分析，为量产工艺改进及产品稳定性提升提供数据支撑。凭借高灵敏度、高空间分辨率和可靠的信号提取能力，锁相红外热成像系统已经成为半导体研发与失效分析中不可或缺的技术手段，为工程师实现精细化热管理和产品优化提供了有力保障。锁相红外热像技术是半导体失效分析领域的重要检测手段，能捕捉微小发热缺陷的温度信号。半导体失效分析锁相红外热成像系统P10

致晟 Thermal 用 InGaAs 探测器，900-1700nm 波段量子效率 70%+，捕微弱热辐射。半导体失效分析锁相红外热成像系统P10

在具体检测过程中，设备首先通过热红外显微镜对样品进行全局扫描，快速锁定潜在的可疑区域；随后，RTTLIT 系统的锁相功能被使用，通过施加周期性电信号激励，使得潜在缺陷点产生与激励频率一致的微弱热响应。锁相模块则负责对环境噪声进行有效抑制与过滤，将原本难以分辨的细微热信号进行增强和成像。通过这种“先宏观定位、再局部聚焦”的操作模式，检测过程兼顾了效率与精度，并突破了传统热检测设备在微弱信号识别方面的瓶颈，为工程师开展高分辨率失效分析提供了强有力的技术支撑。半导体失效分析锁相红外热成像系统P10