厂家锁相红外热成像系统方案

在具体检测过程中，设备首先通过热红外显微镜对样品进行全局扫描，快速锁定潜在的可疑区域；随后，RTTLIT 系统的锁相功能被使用，通过施加周期性电信号激励，使得潜在缺陷点产生与激励频率一致的微弱热响应。锁相模块则负责对环境噪声进行有效抑制与过滤，将原本难以分辨的细微热信号进行增强和成像。通过这种“先宏观定位、再局部聚焦”的操作模式，检测过程兼顾了效率与精度，并突破了传统热检测设备在微弱信号识别方面的瓶颈，为工程师开展高分辨率失效分析提供了强有力的技术支撑。锁相红外凭借高灵敏度与抗干扰能力，能在复杂环境下定位 PCB、PCBA 板上的微小热故障。厂家锁相红外热成像系统方案

锁相红外技术在半导体失效分析中用途***，尤其在检测短路、漏电、接触不良以及材料内部裂纹方面表现突出。对于多层封装或 BGA 封装芯片，LIT 可以穿透一定厚度的封装材料，通过调制频率的调整，选择性地观测不同深度的缺陷。在质量控制领域，LIT 已被应用于生产线抽检，用于筛查潜在的早期缺陷，从而在产品出厂前避免潜在失效风险。此外，该技术也可用于太阳能电池板的隐裂检测、碳纤维复合材料的分层缺陷检测等跨领域应用，显示了其在电子、能源和材料检测中的通用价值。其非接触、无损检测的特性，使得 LIT 成为许多高价值样品的优先检测方法。高分辨率锁相红外热成像系统成像仪系统通过参考信号与采集信号“相位锁定”，计算出幅值图与相位图；

在半导体、微电子和功率器件领域，产品的性能与寿命往往取决于对热效应的精细控制。然而，传统的热成像手段受限于灵敏度和分辨率，难以满足现代高密度芯片和复杂封装工艺的需求。锁相红外热成像技术（Lock-in Thermography，简称LIT）凭借调制信号与热响应的相位差分析，能够有效放大微弱热源信号，实现纳瓦级的热异常定位。这一突破性手段为失效分析提供了前所未有的精细性。致晟光电在该领域深耕多年，结合自身研发的热红外显微镜与InGaAs微光显微镜，为行业客户提供了一套完整的高灵敏度检测解决方案，广泛应用于芯片短路点定位、功率器件散热优化以及复合材料缺陷检测，为半导体产业链的可靠性提升注入新动能。

具体工作流程中，当芯片处于通电工作状态时，漏电、短路等异常电流会引发局部焦耳热效应，产生皮瓦级至纳瓦级的极微弱红外辐射。这些信号经 InGaAs 探测器转换为电信号后，通过显微光学系统完成成像，再经算法处理生成包含温度梯度与空间分布的高精度热图谱。相较于普通红外热像仪，Thermal EMMI 的技术优势体现在双重维度：一方面，其热灵敏度可低至 0.1mK，能捕捉传统设备无法识别的微小热信号；另一方面，通过光学系统与算法的协同优化，定位精度突破至亚微米级，可将缺陷精确锁定至单个晶体管乃至栅极、互联线等更细微的结构单元，为半导体失效分析提供了前所未有的技术支撑。致晟 Thermal 用 InGaAs 探测器，900-1700nm 波段量子效率 70%+，捕微弱热辐射。

锁相红外技术凭借其高信噪比、深度分辨与微弱信号检测能力，在工业检测、科研领域、生物医学三大场景中展现出不可替代的价值。在工业检测领域，它成为生产质控的 “火眼金睛”：针对 PCB 电路板，能精细识别焊点虚焊、脱焊等微小缺陷，避免因焊点问题导致的电路故障；对于航空航天、汽车制造中常用的复合材料，可穿透表层检测内部分层、气泡等隐患，保障材料结构强度；在太阳能电池生产中，更是能快速定位隐裂、断栅等不易察觉的问题，减少低效或失效电池对组件整体性能的影响，为光伏产业提质增效提供技术支撑。锁相红外系统通过热信号相位解调提升缺陷对比度。低温热锁相红外热成像系统与光学显微镜对比

借助锁相红外技术，工程师能直观观察芯片工作时的热分布状态，为故障分析和设计优化提供数据支撑。厂家锁相红外热成像系统方案

锁相红外热成像系统仪器搭载的高分辨率红外焦平面阵列（IRFPA），是实现目标热分布可视化的部件，其性能直接决定了热图像的清晰度与测温精度。目前主流系统采用的红外焦平面阵列分辨率可达 640×512 或 1280×1024，像素间距多为 15-25μm，阵列单元采用碲镉汞（MCT）、锑化铟（InSb）或非晶硅微测辐射热计等敏感材料。当目标的红外热辐射通过光学镜头聚焦到焦平面阵列上时，每个像素单元会根据接收的热辐射能量产生相应的电信号 —— 不同像素单元的电信号差异，对应目标表面不同区域的温度差异。这些电信号经信号调理电路放大、模数转换后，传输至图像处理模块，结合锁相处理后的有效热信号数据，转化为灰度或伪彩色热图像。其中，伪彩色热图像通过不同颜色映射不同温度区间，可直观呈现目标的热分布细节，如高温区域以红色标注，低温区域以蓝色标注，帮助检测人员快速定位热异常区域。此外，部分仪器还支持实时图像拼接与放大功能，进一步提升了复杂大型目标的检测便利性。厂家锁相红外热成像系统方案