IXYS艾赛斯MID150-12A4

Ixys 艾赛斯二极管模块拥有覆盖全应用场景的丰富产品系列，按功能可分为快恢复、肖特基、整流、雪崩等类型，电压等级从 45V 延伸至 6500V，电流范围从 10A 到 2000A，封装形式包括 SOT227B、MODULE、半桥、全桥等多种规格。针对特殊应用场景，Ixys 还提供定制化服务，可根据客户需求调整模块的电气参数、封装结构与引脚配置，例如为新能源汽车定制高集成度的桥式整流模块，为工业设备定制耐高温的续流模块。此外，公司提供详尽的技术文档与选型工具，配合专业的技术支持团队，帮助客户快速匹配*优产品方案，缩短研发周期。Ixys艾赛斯整流桥采用国际标准封装，引脚布局合理，便于自动化焊接与电路集成。IXYS艾赛斯MID150-12A4

超级结 MOS 管（SJ-MOS）是 Ixys 艾赛斯在 MOS 管技术上的重大突破，通过 P 型与 N 型交替的外延层结构，突破了传统 MOS 管 “导通电阻 - 击穿电压” 的制约关系，实现高耐压与低导通损耗的双重优势。其电压等级覆盖 600V-1.2kV，电流至 200A，反向恢复电荷*为传统 MOS 管的 1/3，开关损耗降低 50% 以上。采用先进的平面栅设计与离子注入工艺，确保器件在高频工况下稳定运行，dv/dt 耐受能力可达 5000V/μs。在光伏逆变器、高频开关电源、不间断电源（UPS）等高频高效场景中，SJ-MOS 管成为提升系统能效的**器件。IXYS艾赛斯VVZ24-16IO1Ixys艾赛斯可控硅模块的导通速度极快，能在微秒级时间内响应控制信号，实现精确电力控制。

高压 MOS 管是 Ixys 艾赛斯针对中高压电力系统开发的**产品，电压等级覆盖 1kV-10kV，电流范围 10A-500A，专为高压变频器、高压电源等场景设计。其采用先进的外延层堆叠技术与场板结构优化，通过增厚漂移区并精确控制掺杂浓度，实现超高击穿电压，同时降低导通电阻。部分型号集成反向恢复二极管，简化电路设计，且具备出色的 dv/dt 耐受能力，可抑制高压开关过程中的浪涌电压。封装采用强化绝缘的 MODULE 或 TO-247 形式，爬电距离符合国际高压标准，在高压直流输电（HVDC）、工业高频加热设备中，为系统提供稳定的高压开关控制。

Ixys 艾赛斯可控硅模块采用先进的封装技术保障性能发挥，主流封装包括平板型（Press-Pack）与模块型（Module）。平板型封装通过压力接触实现芯片与散热片的紧密连接，导热效率高，且具备优异的抗振动性能，适配大功率场景；模块型封装则采用直接铜键合（DCB）载板，陶瓷绝缘层导热系数达 200W/(m・K)，配合优化的内部布局，快速导出芯片热量。部分*端型号集成温度传感器与电流检测元件，便于实时监控模块状态。封装材料采用阻燃环氧树脂与无氧铜，通过 UL 与 IEC 认证，在 - 40℃至 125℃环境中稳定工作，兼顾电气安全与机械可靠性。艾赛斯拥有全球化生产与服务网络，可快速响应各地客户的需求。

高压整流桥模块是 Ixys 艾赛斯针对高电压应用开发的**产品，通过强化的芯片结构与封装工艺，实现了超高反向耐压特性，电压等级覆盖 3000V-6500V，电流范围从 50A 到 2000A。模块内部采用串联芯片堆叠技术，配合精确的电压均衡设计，确保各芯片承受的电压均匀分配，避免局部过压击穿。封装采用平板型（Press-Pack）或高压 MODULE 形式，绝缘性能优异，爬电距离符合国际高压标准，且具备良好的散热性能。在高压直流输电（HVDC）换流站、高压电机励磁电源、工业高频加热设备等高压场景中，高压整流桥模块作为**整流器件，实现了高电压交流电向直流电的稳定转换，保障了高压系统的可靠运行。Ixys艾赛斯可控硅模块紧凑的设计使得模块体积小巧，在节省空间的同时，不影响其强大的功能发挥。IXYS艾赛斯VVZ24-16IO1

Ixys二极管模块含FRD、肖特基等类型，适配多场景整流续流需求。IXYS艾赛斯MID150-12A4

快恢复整流桥模块是 Ixys 艾赛斯面向高频电力电子系统的特色产品，内部集成快恢复二极管（FRD）芯片，反向恢复时间短至几十纳秒，能快速响应高频交流电的极性变化，有效抑制开关过程中的浪涌电压与电磁干扰。其采用薄晶圆与 trench 工艺，在实现快速恢复特性的同时，兼顾低正向导通电压与高反向耐压，电压等级覆盖 200V-3000V，电流从 20A 到 800A。封装采用直接铜键合（DCB）载板，散热效率优异，可适应高频工况下的温升需求。在高频开关电源、光伏逆变器、不间断电源（UPS）等高频应用场景中，快恢复整流桥模块***降低了开关损耗，提升了系统整体效率。IXYS艾赛斯MID150-12A4