半导体锁相红外热成像系统设备

性能参数的突破更凸显技术实力。RTTLIT P20 的测温灵敏度达 0.1mK，意味着能捕捉到 0.0001℃的温度波动，相当于能检测到低至 1μW 的功率变化 —— 这一水平足以识别芯片内部栅极漏电等隐性缺陷；2μm 的显微分辨率则让成像精度达到微米级，可清晰呈现芯片引线键合处的微小热异常。而 RTTLIT P10 虽采用非制冷型探测器，却通过算法优化将锁相灵敏度提升至 0.001℃，在 PCB 板短路、IGBT 模块局部过热等检测场景中，既能满足精度需求，又具备更高的性价比。此外，设备的一体化设计将可见光、热红外、微光三大成像模块集成，配合自动化工作台的精细控制，实现了 “一键切换检测模式”“双面观测无死角” 等便捷操作，大幅降低了操作复杂度。锁相热成像系统解析电激励产生的温度场信息。半导体锁相红外热成像系统设备

锁相热成像系统的维护保养是保证其长期稳定运行的关键。系统的维护包括日常的清洁、部件的检查和更换等。对于红外热像仪的镜头，需要定期用专门的清洁剂和镜头纸进行清洁，避免灰尘和污渍影响成像质量。锁相放大器、激光器等关键部件要定期进行性能检查，确保其参数在正常范围内。如果发现部件出现老化或故障，要及时进行更换，以避免影响系统的检测精度。此外，系统的冷却系统也需要定期维护，确保其能够正常工作，防止因设备过热而影响性能。做好维护保养工作，能够延长锁相热成像系统的使用寿命，降低设备故障的发生率，保证检测工作的顺利进行。thermal锁相红外热成像系统内容检测速度快，但锁相热红外电激励成像所得的位相图不受物体表面情况影响，对深层缺陷检测效果更好。

在电子领域，所有器件都会在不同程度上产生热量。器件散发一定热量属于正常现象，但某些类型的缺陷会增加功耗，进而导致发热量上升。在失效分析中，这种额外的热量能够为定位缺陷本身提供有用线索。热红外显微镜可以借助内置摄像系统来测量可见光或近红外光的实用技术。该相机对波长在3至10微米范围内的光子十分敏感，而这些波长与热量相对应，因此相机获取的图像可转化为被测器件的热分布图。通常，会先对断电状态下的样品器件进行热成像，以此建立基准线；随后通电再次成像。得到的图像直观呈现了器件的功耗情况，可用于隔离失效问题。许多不同的缺陷在通电时会因消耗额外电流而产生过多热量。例如短路、性能不良的晶体管、损坏的静电放电保护二极管等，通过热红外显微镜观察时会显现出来，从而使我们能够精细定位存在缺陷的损坏部位。

当电子设备中的某个元件发生故障或异常时，常常伴随局部温度升高。热红外显微镜通过高灵敏度的红外探测器，能够捕捉到极其微弱的热辐射信号。这些探测器通常采用量子级联激光器等先进技术，或其他高性能红外传感方案，具备宽温区、高分辨率的成像能力。通过对热辐射信号的精细探测与分析，热红外显微镜能够将电子设备表面的温度分布以高对比度的热图像形式呈现，直观展现热点区域的位置、尺寸及温度变化趋势，从而帮助工程师快速锁定潜在的故障点，实现高效可靠的故障排查。系统的逻辑是通过 “周期性激励 - 热响应 - 锁相提取 - 特征分析” 的流程，将内部结构差异转化为热图像特征。

在半导体行业飞速发展的现在，芯片集成度不断提升，器件结构日益复杂，失效分析的难度也随之大幅增加。传统检测设备往往难以兼顾微观观测与微弱信号捕捉，导致许多隐性缺陷成为 “漏网之鱼”。苏州致晟光电科技有限公司凭借自主研发实力，将热红外显微镜与锁相红外热成像系统创造性地集成一体，推出 Thermal EMMI P 热红外显微镜系列检测设备（搭载自主研发的 RTTLIT （实时瞬态锁相红外系统），为半导体的失效分析提供了全新的技术范式。

电激励配合锁相热成像系统，检测精密电子元件缺陷。锁相锁相红外热成像系统内容

非接触式检测在不破坏样品的情况下实现成像，适用于各种封装状态的样品，包括未开封的芯片和PCBA。半导体锁相红外热成像系统设备

OBIRCH与EMMI技术在集成电路失效分析领域中扮演着互补的角色，其主要差异体现在检测原理及应用领域。具体而言，EMMI技术通过光子检测手段来精确定位漏电或发光故障点，而OBIRCH技术则依赖于激光诱导电阻变化来识别短路或阻值异常区域。这两种技术通常被整合于同一检测系统（即PEM系统）中，其中EMMI技术在探测光子发射类缺陷，如漏电流方面表现出色，而OBIRCH技术则对金属层遮蔽下的短路现象具有更高的敏感度。例如，EMMI技术能够有效检测未开封芯片中的失效点，而OBIRCH技术则能有效解决低阻抗（<10 ohm）短路问题。半导体锁相红外热成像系统设备