AlN有两个非常重要的性能值得注意:一个是高的热导率,一个是与Si相匹配的膨胀系数。缺点是即使在表面有非常薄的氧化层也会对热导率产生影响,只有对材料和工艺进行严格控制才能制造出一致性较好的AlN基板。AlN生产技术国内像斯利通这样能大规模生产的少之又少,相对于Al2O3,AlN价格相对偏高许多,这个也是制约其发展的小瓶颈。不过随着经济的提升,技术的升级,这种瓶颈终会消失。综合以上原因,可以知道,氧化铝陶瓷由于比较优越的综合性能,在微电子、功率电子、混合微电子、功率模块等领域还是处于主导地位而被大量运用。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观!思想交流智慧碰撞,激发灵感创造契机,2025年3月10日中國國際先進陶瓷展,与您相聚上海,共襄行业盛会!2025年3月10日-12日上海市国际先进陶瓷技术论坛
氮化硅(Si3N4)采用氮化硅制成的新款陶瓷基板的挠曲强度比采用Al2O3和AlN制成的基板高。Si3N4的断裂韧性甚至超过了氧化锆掺杂陶瓷。功率模块内使用的覆铜陶瓷基板的可靠性一直受制于陶瓷较低的挠曲强度,而后者会降低热循环能力。对于那些整合了极端热和机械应力的应用(例如混合动力汽车和电动汽车(HEV/EV)而言,目前常用的陶瓷基板不是*佳选择。基板(陶瓷)和导体(铜)的热膨胀系数存在很大差异,会在热循环期间对键合区产生压力,进而降低可靠性。随着HEV/EV和可再生能源应用的增长,设计者找到了新方法来确保这些推动极具挑战性的新技术发展所需的电子元件的可靠性。由于工作寿命比电力电子使用的其它陶瓷长10倍或者更高,所以氮化硅基板能够提供对于达到必要的可靠性要求至关重要的机械强度。陶瓷基板的寿命是由在不出现剥离和其它影响电路功能与安全的故障的情况下,基板可以承受的热循环重复次数来衡量的。该测试通常是通过从-55°C到125°C或者150°C对样品进行循环运行来完成的。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。诚邀您莅临参观!2025年3月10-12日上海市国际先进陶瓷粉末冶金展览会2025年3月10日中國國際先進陶瓷展,汇聚众多国内外杰出供应商和制造商,诚邀您莅临上海探索无限商机。
碳化硅下游应用场景众多,包括新能源车、充电桩、光伏、储能、轨道交通、智能电网、航空航天等,而下游的需求放量情况会影响碳化硅的市场规模体量,比如新能源车的产销量、充电桩的配套数量、光伏的装机量等。虽然碳化硅衬底和器件工艺逐渐成熟,价格有所下降,但碳化硅功率器件价格仍远高于硅基器件。下游应用领域需平衡碳化硅器件高价格与性能优势带来的综合成本,短期内将限制碳化硅器件在功率器件领域的渗透率,大规模应用仍存挑战。若下游存在放量不及预期的情况,将对上游碳化硅企业研发、生产造成不利影响。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!
先進陶瓷又称高性能陶瓷、精细陶瓷、高技术陶瓷等,是指采用高纯度、超细人工合成或精选的无机化合物为原料,具有优异的力学、声、光、热、电、生物等特性的陶瓷。先進陶瓷在原料、工艺方面有别于传统陶瓷,特定的精细结构使其具有gao强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、绝缘、超导、生物相容等一系列優点,被广泛应用于國防、化工、冶金、电子、机械、航空、航天、生物医学等领域。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!如何开拓更有价值的新领域?如何延伸万亿市场应用空间?敬请关注2025年3月10日中國國際先進陶瓷展览!
“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结,主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度,经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行,此方法需要较高的烧结温度(超过1000℃)和较长的保温时间。如果烧结温度较低,则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔,材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞,此时材料的电性能较差;烧结温度过高,可能导致晶界的移动速度过快,出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为:陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温,立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比,两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化,在抑制晶界迁移(这将导致晶粒长大)的同时,保持晶界扩散(这是坯体致密化的动力)处于活跃状态,来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间,然后再在较高的温度下保温,后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间,此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”:2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!2025年3月10日-12日上海市国际先进陶瓷技术论坛
“中國國際先進陶瓷展”多方位展示企业智造实力,搭建行业共享共赢的商贸平台,2025年3月10-12日上海见!2025年3月10日-12日上海市国际先进陶瓷技术论坛
碳化硅衬底的电学性能决定了下游芯片功能与性能的优劣,为满足不同芯片功能需求,需制备不同电学性能的碳化硅衬底。按照电学性能的不同,碳化硅衬底可分为两类:高电阻率(电阻率≥105Ω·cm)的半绝缘型碳化硅衬底,以及低电阻率(电阻率区间为15~30mΩ·cm)的导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓射频器件,通过生长氮化镓外延层制得碳化硅基氮化镓外延片;导电型碳化硅衬底主要用于制造功率器件,需在导电型衬底上生长碳化硅外延层。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!诚邀您莅临参观!2025年3月10日-12日上海市国际先进陶瓷技术论坛