半导体材料作为一种在常温下导电性能介于绝缘体与导体之间的特殊物质,在现代科技产业中发挥着至关重要的作用,被誉为现代工业的“粮食”。从研究和规模化应用的时间顺序来看,半导体材料可分为三代。与以硅(Si)、锗(Ge)为dai表的一代半导体和以砷化镓(GaAs)为dai表的第二代半导体相比,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为dai表的第三代半导体具有高禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特征,可以满足科技发展对高温、高功率、gao压、高频等复杂场景的器件要求。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。诚邀您莅临参观!“中國國際先進陶瓷展览会”提高材料性能,创新技术工艺。2025年3月10日上海世博展览馆。诚邀您莅临!2025年3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛
“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。无压烧结在常压下进行烧结,主要包括常规无压烧结、两步法烧结、两段法烧结。1、常规无压烧结将陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度,经保温后冷却到室温以制备陶瓷的方法。常规烧结采用高温长时间、等烧结速率进行,此方法需要较高的烧结温度(超过1000℃)和较长的保温时间。如果烧结温度较低,则不能够形成足够的液相填充坯体里的气孔,材料晶界结合不好并且材料中存在较大的孔洞,此时材料的电性能较差;烧结温度过高,可能导致晶界的移动速度过快,出现晶粒异常增大现象。2、两步法烧结烧结流程为:陶瓷坯体通过加热装置加热到一定温度后不进行保温,立即以很快的速度降温到相对较低的温度进行长时间的保温。与常规烧结方法相比,两步烧结法巧妙地通过控制温度的变化,在抑制晶界迁移(这将导致晶粒长大)的同时,保持晶界扩散(这是坯体致密化的动力)处于活跃状态,来实现晶粒不长大的前提下达到烧结的目的。3、两段法烧结在相对较低的温度下保温一段时间,然后再在较高的温度下保温,后自然冷却。用此工艺可以降低烧结温度和缩短烧结时间,此方式可以用于烧结细晶钛酸钡陶瓷。2025年3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛“中國國際先進陶瓷展览会”以先進材料为基点:2025年3月10-12日上海世博展览馆。诚邀您莅临参观!
氧化铝陶瓷以Al2O3为主要成分,含有少量SiO2的陶瓷,又称高铝陶瓷。根据Al2O3含量不同分为75瓷(含75%Al2O3,又称刚玉-莫来石瓷)、95瓷和99瓷,后两者又称刚玉瓷。氧化铝陶瓷耐高温性能好,可使用到1950℃。具有良好的电绝缘性能及耐磨性。微晶刚玉的硬度极高(仅次于金刚石)。氧化铝陶瓷被用作耐火材料,如耐火砖、坩埚、热偶套管,淬火钢的切削刀具、金属拔丝模,内燃机的火花塞,火箭、导弹的导流罩及轴承等。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PMCHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMICCHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AMCHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEXCHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。诚邀您莅临参观!
在半导体制造领域,增大晶片尺寸是提高半导体产品竞争力的关键途径。对于同一规格的芯片,随着晶圆尺寸增加,边缘管芯(Die)数量占比缩小,晶圆利用率大幅增加。按晶圆面积测算,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积是6英寸晶圆面积的1.8倍,一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圆面积则是4英寸晶圆面积的近4.3倍。根据Wolfspeed测算,一片8英寸碳化硅晶片可以产出845颗32mm2的芯片,是6英寸碳化硅外延晶片产出的近2倍;边缘管芯占比下降到7%,大幅度提高晶圆利用率,将进一步降低碳化硅芯片单位成本。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!业界精英云集中國國際先進陶瓷展,为行业发展注入新动能。2025年3月10-12日,我们在上海等您!
PVT法通过感应加热碳化硅粉料,在密闭生长腔室内高温低压下使其升华产生反应气体,通过固—气反应产生碳化硅单晶反应源,在生长腔室顶部设置碳化硅籽晶,气相组分在籽晶表面原子沉积,生长为碳化硅单晶。HT-CVD法在2000-2500℃下,使用高纯度气体在高温区形成碳化硅气态前驱物,带入低温区沉积形成碳化硅晶体。LPE法基于“溶解—析出”原理,通过碳在1400℃至1800℃高温纯硅溶液中的溶解和从过饱和溶液中析出碳化硅晶体来实现生长,需助熔剂提高碳溶解度。“第十七届中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆盛大开幕!展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。展会打通供需堵点,整合全产业链资源,集中展示涵盖原材料、设备、仪器、制品等一应俱全的产品、服务和整体解决方案。 诚邀您莅临参观!中國國際先進陶瓷展览会,助力企业发展行业繁荣,与行业精英携手共创无限商机,3月10日在上海恭候您!2025年3月10日-12日中国上海市国际先进陶瓷技术发展论坛
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碳化硅产业各链条都在互相交融、跨界。系统级厂商方面,比亚迪从整车制造跨到碳化硅产业前端的衬底环节,吉利则向后端做到碳化硅芯片制造;在供应链Tier1厂商层面,博世和华为同样做到碳化硅芯片制造。高成本是制约碳化硅器件实现大规模商用及国产替代的主要因素,但碳化硅器件与传统硅基器件的差价正在缩小。SiCSBD产品价格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A,与硅基器件差价约为3.8倍。2019至2020年,1200V和1700V的SiCMOSFET的平均价格跌幅达30%-40%,有助于其提升市场渗透率。“中國國際先進陶瓷展览会”将于2025年3月10-12日上海世博展览馆开幕!五展联动;第17届中國國際粉末冶金及硬质合金展览会(PM CHINA)、2025上海國際线圈、变压器、电感、电机与磁性材料展览会(MMIC CHINA)、2025上海國際增材制造应用技术展览会(AM CHINA)和2025上海國際粉体加工与处理展览会(POWDEX CHINA)同期同地举办。五展联动,串联相关产业链,吸引更多的观众群体,形成既汇聚更多参展企业同台竞技,又满足观众和买家多样化需求的“一站式”商贸交流平台。展会展览面积将超过50,000平方米,中外展商约900家,参展品牌1500个,国内外观众预计将达到70,000人次。 诚邀您莅临参观!2025年3月10日-12日中国上海市先进陶瓷技术发展论坛