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国产替代的“自主基石” 在美国对华**半导体设备禁运的背景下，国产测试机成为“卡脖子”环节的突围重点。杭州国磊GT600作为国产**SoC测试平台，支持C++编程、Visual Studio开发环境，软件系统开放可控，避免依赖国外“黑盒子”软件。其硬件架构灵活，16个通用插槽可适配国产探针台、分选机，实现全链路本土化集成。交期短、响应快、可定制，满足华为、比亚迪等企业对供应链安全与数据保密的严苛要求。杭州国磊GT600的出现，标志着中国在**测试设备领域从“跟跑”向“并跑”迈进。它不仅是工具，更是中国半导体产业链自主可控战略的“隐形支柱”，为国产芯片的持续创新提供坚实底座。国磊GT600SoC测试机可选配GT-TMUHA04板卡，提供10ps时间分辨率与0.1%测量精度，用于HBM接口时序对齐测试。珠海SIR测试系统行价

杭州国磊GT600支持比较高400MHz测试速率，意味着每秒可执行4亿次信号激励与采样，这是验证现代高速SoC的基石。在智能手机场景中，麒麟芯片的LPDDR5内存接口、PCIe 4.0存储总线、USB4高速传输均工作在GHz级频率。GT600的400MHz速率虽非直接运行在接口全速，但足以覆盖其协议层的功能测试与时序验证。通过“降频测试+向量仿真”，GT600能精确捕捉信号边沿、验证数据完整性。在AI芯片测试中，该速率可驱动NPU**进行高吞吐矩阵运算测试，确保算力达标。400MHz还支持复杂状态机跳转、多模块协同仿真，避免因测试速率不足导致功能覆盖缺失。这一参数使GT600能胜任从5G通信到边缘计算的各类高速芯片验证，成为国产**SoC量产的“***道高速关卡”。常州CAF测试系统定制价格国磊GT600SoC测试机通过电源上电时序测试利用SMU监控多电源域的电压建立顺序，防止闩锁效应。

集成PPMU与动态电流监测——赋能“每瓦特算力”优化 背景：AI芯片能效比（Performance per Watt）成为核心竞争力，尤其在数据中心“双碳”目标下。每通道集成PPMU，支持nA级静态电流与A级动态电流测量； 可捕获微秒级浪涌电流（Inrush Current）与电压塌陷（Voltage Droop）； 支持FVMI/FIMV等模式，绘制功耗-性能曲线。帮助芯片设计团队优化电源完整性（PI）与低功耗策略（如电源门控），打造高能效国产AI芯片。512 Sites并行测试架构——降低量产成本，抢占市场先机。AI芯片年出货量动辄百万级，测试成本直接影响产品竞争力。512站点并行测试能力，使单颗芯片测试成本降低70%以上，测试效率呈指数级提升。为国产AI芯片大规模量产提供“超级测试流水线”，实现“测得快、卖得起、用得稳”。开放软件生态（GTFY + C++ + Visual Studio）——加速AI芯片创新迭代 背景：AI架构快速演进（如存算一体、类脑计算），需高度灵活的测试平台。开放编程环境支持自定义测试逻辑，高校与企业可快速开发新型测试方案。不仅是量产工具，更是科研创新的“开放实验台”，推动中国AI芯片从“跟随”走向“**”。

适配多元化国产芯片架构 中国芯片产业呈现百花齐放态势：RISC-V CPU、存算一体AI芯片、光子集成芯片、量子控制SoC等新型架构层出不穷。这些芯片往往具有非标I/O、特殊电源域或混合信号需求。国磊（Guolei）GT600的16个通用插槽、多种VI浮动电源板卡（如-2.5V~7V）、每引脚PPMU及可选配的高精度模拟板卡，使其能灵活适配各类异构芯片的测试需求，避免因测试平台僵化而制约创新芯片的发展，从而维护技术路线的多样性与供应链的抗风险能力。保障关键领域芯片供应安全 在**、航空航天、智能电网、轨道交通、新能源汽车等关乎国计民生的关键领域，芯片供应链安全直接关系**。国磊（Guolei）GT600已应用于**AD/DA、显示驱动、MCU等芯片测试，未来可进一步拓展至安全加密芯片、高可靠通信芯片等领域。通过部署国产测试设备，这些敏感芯片的测试数据、良率信息、失效模式等**知识产权得以保留在境内，杜绝信息泄露风险。国磊GT600GPIB/TTL接口支持与外部源表、LCR表、温控台联动，构建高精度模拟参数测试系统。

杭州国磊GT600 SoC测试机在车规芯片测试中扮演着“全生命周期可靠性卫士”的关键角色，其应用贯穿从研发验证到量产的全过程，精细满足AEC-Q100等严苛标准。 首先，国磊GT600的**优势在于其高精度参数测量能力。 其每通道集成的PPMU（参数测量单元）可精确测量nA级静态漏电流（Iddq），这是车规芯片的**指标。微小漏电可能在高温或长期使用后演变为功能失效，国磊GT600通过精密筛查，确保芯片在-40℃至150℃宽温域内“零漏电”，大幅提升产品早期可靠性。 其次，国磊GT600***支持AEC-Q100关键测试项目。 在高温工作寿命测试（HTOL）中，国磊GT600可配合温控系统，在150℃高温下对芯片施加高压并连续运行1000小时以上，验证其长期稳定性。其浮动SMU电源板卡能精细模拟车载12V/24V供电系统，验证电源管理单元（PMU）在电压波动、负载突变下的响应能力，防止“掉电重启”。国磊GT600支持多Site并行测试，提升电源管理芯片、运放等高量产型号的测试效率与产能。苏州导电阳极丝测试系统精选厂家

国磊GT600SoC测试机512Sites高并行测试架构，提升集成了HBM的AI/GPU芯片的测试吞吐量。珠海SIR测试系统行价

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下，数据中心能耗成为焦点，芯片能效比（Performance per Watt）成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗，结合FVMI（强制电压测电流）模式，绘制完整的功耗-性能曲线，帮助设计团队优化电压频率调节（DVFS）策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试，模拟数据中心7x24小时运行场景，筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本，适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者，更是能效的“精算师”，助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。珠海SIR测试系统行价